產(chǎn)品詳情
日本ygkcop雙頭SiC表面粒子掃描儀
YPI-MX-ΘDC SiC / GaN相關(guān)，Si /透明/ LT晶片表面異物檢查設(shè)備
雙頭SiC表面粒子掃描儀
采取措施，不漏掉傳統(tǒng)表面顆粒檢查設(shè)備無法檢測到的SiC表面潛伏期。
通過將雙傳感器安裝在可以檢查透明基板的YPI-MX上，可以進(jìn)行測量而不會發(fā)現(xiàn)微小的劃痕缺陷。
通過在兩個正交軸上布置355 nm（UV）激光器和光接收傳感器，可以消除微小劃痕缺陷的方向依賴性，
并在不忽略SiC襯底的情況下檢測劃痕缺陷和潛在劃痕。
在5分鐘內(nèi)測量4英寸SiC晶片，包括等待時間檢測測量。
設(shè)備中雙傳感器測量結(jié)果的圖像
最小檢測粒徑為0.1μm。
LT晶片測量結(jié)果示例
如果是4英寸LT晶片，則可以在大約2分鐘內(nèi)進(jìn)行測量。
關(guān)于大功率激光控制
為恒定，從而可以實現(xiàn)更精確的異物檢測。
設(shè)備規(guī)格
各種膜的晶片等
W1,530mm x D1,200mm x H1,715mm（自動傳送帶）
