產(chǎn)品詳情
| 產(chǎn)品參數(shù) | |||
|---|---|---|---|
| 品牌 | VS威兆 | ||
| 封裝 | PDFN3333 | ||
| 批號 | 22 | ||
| 數(shù)量 | 89213 | ||
| 產(chǎn)品種類 | 電子元器件 | ||
| 最小工作溫度 | -50C | ||
| 最大工作溫度 | 125C | ||
| 最小電源電壓 | 1.5V | ||
| 最大電源電壓 | 7.5V | ||
| 長度 | 2.8mm | ||
| 寬度 | 5.9mm | ||
| 高度 | 2.8mm | ||
| 可售賣地 | 全國 | ||
| 型號 | VS3510AE | ||
VS3510AE VSP008N10MSC VS3506AE VS3508AE VS3510AS VS3522AE VS3610AI VS3622DP2 VS3622AE VS3510AE VS8402AMH VS6880AD威兆一級代理,可售樣可提供技術(shù)支持
VS3510AE 30V/-37A P-Channel Advanced Power MOSFET
Features Enhancement mode Fast Switching and High efficiency 100 Avalanche test
V DS -30 V R DS(on),TYP@ VGS=-10 V 10 m R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 18 m I D -37 A
VS3510AE PDFN3333 3510AE 5000pcs/Reel
Maximum ratings, at TA =25°C, unless otherwise specified
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V, ID=-250μA -30 -- -- V IDSS Zero Gate Voltage Drain Current VDS=-30V,VGS=0V -- -- -1 μA Zero Gate Voltage Drain Current(Tj=125℃) VDS=-30V,VGS=0V -- -- -100 μA IGSS Gate-Body Leakage Current VGS=±25V,VDS=0V -- -- ±100 nA VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS,ID=-250μA -1.3 -1.9 -2.4 V RDS(on) Drain-Source On-State Resistance ③ VGS=-10V, ID=-20A -- 10 13 mΩ RDS(on) Drain-Source On-State Resistance ③ VGS=-4.5V, ID=-16A -- 18 23 mΩ
