產(chǎn)品詳情
TPS5450DDAR特性：
●寬輸入電壓范圍為：5.5V 至 36V
●高達 5A 的持續(xù)（峰值為 6A）輸出電流
●通過 110m? 集成 MOSFET 開關(guān)實現(xiàn) 90% 的高效率
●寬輸出電壓范圍：可調(diào)節(jié)為低至 1.22V，初始精度為 1.5%
●內(nèi)部補償限度地減少了外部器件數(shù)量
●適用于小型濾波器尺寸的固定 500kHz 開關(guān)頻率
●18μA 關(guān)斷電源電流
●通過輸入電壓前饋改進線路調(diào)整和瞬態(tài)響應(yīng)
●系統(tǒng)受過流限制、過壓保護和熱關(guān)斷的保護
●–40°C 至 125°C 的工作結(jié)溫范圍
●采用小型熱增強型 8 引腳 SOIC PowerPAD? 封裝
TPS5450DDAR是一款高輸出電流的 PWM 轉(zhuǎn)換器，集成了低電阻高側(cè) N 溝道 MOSFET。具有所列的特性的基板上還包括高性能電壓誤差放大器（可在瞬態(tài)條件下提供高穩(wěn)壓精度）、欠壓鎖定電路（用于防止在輸入電壓達到 5.5V 前啟動）、內(nèi)部設(shè)置的慢啟動電路（用于限制浪涌電流）以及電壓前饋電路（用于改進瞬態(tài)響應(yīng)）。通過使用 ENA 引腳，關(guān)斷電源電流通常可減少到 18μA。其他特性包括高電平有效使能端、過流限制、過壓保護和熱關(guān)斷。為降低設(shè)計復(fù)雜性并減少外部組件數(shù)量，TPS5450 反饋環(huán)路進行了內(nèi)部補償。
TPS5450DDAR器件采用熱增強型 8 引腳 SOIC PowerPAD 封裝。TI 提供評估模塊和軟件工具，有助于實現(xiàn)高性能電源設(shè)計，可滿足迫切的器件開發(fā)周期要求。
●寬輸入電壓范圍為：5.5V 至 36V
●高達 5A 的持續(xù)（峰值為 6A）輸出電流
●通過 110m? 集成 MOSFET 開關(guān)實現(xiàn) 90% 的高效率
●寬輸出電壓范圍：可調(diào)節(jié)為低至 1.22V，初始精度為 1.5%
●內(nèi)部補償限度地減少了外部器件數(shù)量
●適用于小型濾波器尺寸的固定 500kHz 開關(guān)頻率
●18μA 關(guān)斷電源電流
●通過輸入電壓前饋改進線路調(diào)整和瞬態(tài)響應(yīng)
●系統(tǒng)受過流限制、過壓保護和熱關(guān)斷的保護
●–40°C 至 125°C 的工作結(jié)溫范圍
●采用小型熱增強型 8 引腳 SOIC PowerPAD? 封裝
TPS5450DDAR是一款高輸出電流的 PWM 轉(zhuǎn)換器，集成了低電阻高側(cè) N 溝道 MOSFET。具有所列的特性的基板上還包括高性能電壓誤差放大器（可在瞬態(tài)條件下提供高穩(wěn)壓精度）、欠壓鎖定電路（用于防止在輸入電壓達到 5.5V 前啟動）、內(nèi)部設(shè)置的慢啟動電路（用于限制浪涌電流）以及電壓前饋電路（用于改進瞬態(tài)響應(yīng)）。通過使用 ENA 引腳，關(guān)斷電源電流通常可減少到 18μA。其他特性包括高電平有效使能端、過流限制、過壓保護和熱關(guān)斷。為降低設(shè)計復(fù)雜性并減少外部組件數(shù)量，TPS5450 反饋環(huán)路進行了內(nèi)部補償。
TPS5450DDAR器件采用熱增強型 8 引腳 SOIC PowerPAD 封裝。TI 提供評估模塊和軟件工具，有助于實現(xiàn)高性能電源設(shè)計，可滿足迫切的器件開發(fā)周期要求。
