產(chǎn)品詳情
說(shuō)明
TPS27081A 是一款高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)，此開(kāi)關(guān)在微封裝內(nèi)集成了一個(gè)功率 PFET 和一個(gè)控制 NMOS。
TPS27081A 在所有引腳上特有業(yè)界標(biāo)準(zhǔn) ESD 保護(hù)，從而提供與其它板載組件更好的 ESD 兼容性。
TPS27081A 可將開(kāi)/關(guān)邏輯信號(hào)的電平轉(zhuǎn)換為 VIN 電平，并且支持低至 1.0V 的 CPU 或 MCU 邏輯以在不需要外部電平位移器的前提下控制更高電壓的電源。
通過(guò)一個(gè)快速開(kāi)/關(guān)邏輯信號(hào)來(lái)開(kāi)啟大值輸出電容器有可能導(dǎo)致過(guò)多的涌入電流。 為了控制負(fù)載涌入電流，
如圖 2所示，連接一個(gè)電阻器 R2。 可增加一個(gè)外部電容器 C1 來(lái)進(jìn)一步限制涌入電流。 要配置 TPS27081A
以獲得一個(gè)特定的轉(zhuǎn)換率，請(qǐng)參考應(yīng)用信息一節(jié)。無(wú)需對(duì)涌入電流進(jìn)行控制的待機(jī)電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用需要一個(gè)
單一上拉電阻器 R1。 在此類應(yīng)用中，將 TPS27081A引腳 R2 連接至系統(tǒng)接地。
特性
? 低導(dǎo)通電阻，高電流 PFET
– VGS = –4.5V 時(shí)，R導(dǎo)通 = 32mΩ
– VGS = –3.0V 時(shí)，R導(dǎo)通 = 44mΩ
– VGS = –1.8V 時(shí)，R導(dǎo)通 = 82mΩ
– VGS = –1.5V 時(shí)，R導(dǎo)通 = 93mΩ
– VGS = –1.2V 時(shí)，R導(dǎo)通 = 155mΩ
? 通過(guò)外部 R1，R2 和 C1 實(shí)現(xiàn)的可調(diào)打開(kāi)和關(guān)閉轉(zhuǎn)換率控制
? 支持 1.2V 到高達(dá) 8V 的寬范圍電源輸入
? 用于 PFET 控制的集成 NMOS
? NMOS 打開(kāi)/關(guān)閉支持 1.0V 至高達(dá) 8.0V 的寬范圍控制邏輯接口
? 完全靜電放電 (ESD) 保護(hù)（所有引腳）
– 人體模型 (HBM) 2kV，充電器件模型 (CDM)500V
? 待機(jī)模式下的超低泄漏電流（典型值 100nA）
? 采用微型 6 引腳封裝
– 2.9mm x 2.8mm x 0.75mm 薄型小外形尺寸晶 體管 (SOT)-23 (DDC) 封裝
應(yīng)用范圍
? 高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)
? 涌入電流控制
? 電源排序和控制
? 待機(jī)電源隔離
? 便攜式電源開(kāi)關(guān)
– VGS = –4.5V 時(shí)，R導(dǎo)通 = 32mΩ
– VGS = –3.0V 時(shí)，R導(dǎo)通 = 44mΩ
– VGS = –1.8V 時(shí)，R導(dǎo)通 = 82mΩ
– VGS = –1.5V 時(shí)，R導(dǎo)通 = 93mΩ
– VGS = –1.2V 時(shí)，R導(dǎo)通 = 155mΩ
? 通過(guò)外部 R1，R2 和 C1 實(shí)現(xiàn)的可調(diào)打開(kāi)和關(guān)閉轉(zhuǎn)換率控制
? 支持 1.2V 到高達(dá) 8V 的寬范圍電源輸入
? 用于 PFET 控制的集成 NMOS
? NMOS 打開(kāi)/關(guān)閉支持 1.0V 至高達(dá) 8.0V 的寬范圍控制邏輯接口
? 完全靜電放電 (ESD) 保護(hù)（所有引腳）
– 人體模型 (HBM) 2kV，充電器件模型 (CDM)500V
? 待機(jī)模式下的超低泄漏電流（典型值 100nA）
? 采用微型 6 引腳封裝
– 2.9mm x 2.8mm x 0.75mm 薄型小外形尺寸晶 體管 (SOT)-23 (DDC) 封裝
應(yīng)用范圍
? 高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)
? 涌入電流控制
? 電源排序和控制
? 待機(jī)電源隔離
? 便攜式電源開(kāi)關(guān)
