近日，國家重點(diǎn)研發(fā)計劃“高分辨耐輻照硅探測器的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用”項目正式啟動。

　　科學(xué)儀器設(shè)備是科學(xué)研究和技術(shù)創(chuàng)新的基石，是經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展和國防安全的重要保障。為切實(shí)提升我國科學(xué)儀器設(shè)備的自主創(chuàng)新能力和裝備水平，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)升級發(fā)展，支撐創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略的實(shí)施，我國啟動了國家重點(diǎn)研發(fā)計劃。

　　射線探測技術(shù)作為現(xiàn)代科技關(guān)鍵核心技術(shù)，在公共安檢設(shè)備、國防建設(shè)、核能開發(fā)利用等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用空間，目前我國硅輻射探測器市場上的產(chǎn)品絕大部分被國外壟斷，迫切需要在關(guān)鍵領(lǐng)域進(jìn)行重點(diǎn)突破。耐高壓硅探測器作為國防特殊輻射測量設(shè)備的核心部件，可拓寬脈沖輻射測量的動態(tài)范圍，對中子、伽馬射線等具有良好分辨力，在核輻射監(jiān)測、高能粒子探測、X射線衍射儀、安檢等應(yīng)用廣泛，

　　為此，四川藝精科技集團(tuán)牽頭申報，中國工程物理研究院材料研究所、中國工程物理研究院電子工程研究所和江蘇尚飛光電科技股份有限公司共同參與了高分辨耐輻照硅探測器項目的研制，在2018年正式通過了科技部的立項，中央財政經(jīng)費(fèi)為428萬元，實(shí)施周期為3年。

　　高分辨耐輻照硅探測器項目將通過以表面鈍化和離子注入等關(guān)鍵技術(shù)突破為重點(diǎn)，獲得具有自主知識產(chǎn)權(quán)的高性能硅輻射探測關(guān)鍵技術(shù)，從基礎(chǔ)研究、工藝控制、器件研制、產(chǎn)品研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化等各階段提升核心競爭力，帶動相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，主要任務(wù)包括研制高壓耐輻照硅探測器、面向公共安檢應(yīng)用的高性能X射線探測器、大面積X射線硅探測器等

　　項目的考核指標(biāo)主要有探測面積≥5cm×5cm；位置分辨率≤100μm；漏電流密度≤2nA/cm2@耗盡電壓;探測器工作電壓≥600V；抗輻照指標(biāo)≥1×1015nep/cm2。產(chǎn)品完成時應(yīng)通過可靠性測試，平均故障間隔時間≥5000小時;技術(shù)就緒度達(dá)到9級。明確發(fā)明專利、標(biāo)準(zhǔn)和軟件著作權(quán)等知識產(chǎn)權(quán)數(shù)量；形成批量生產(chǎn)能力，明確項目驗(yàn)收時銷售數(shù)量和銷售額。

　　該項目的實(shí)施將進(jìn)一步提升相關(guān)領(lǐng)域的核心競爭力，打破國際對我國的技術(shù)封鎖，縮小與國際先進(jìn)技術(shù)的差距，帶動相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，以自主科技創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)我國自己掌控相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展和國家安全的命脈。下一步，團(tuán)隊將重點(diǎn)研究硅表面鈍化工藝，通過控制硅表面氧化膜的厚度和質(zhì)量來提高器件工作性能及輻照性能。