原標題：大幅提升半導體照明光電效率 三安光電獲2019年度國家科技進步獎一等獎

1月10日，2019年度國家科學技術獎揭曉，三安光電及中科院半導體研究所聯(lián)合完成的“高光效長壽命半導體照明關鍵技術與產(chǎn)業(yè)化”項目獲國家科技進步獎一等獎。據(jù)介紹，該項目歷時十余年，形成具有我國自主知識產(chǎn)權的高光效、長壽命半導體照明成套技術，關鍵指標達國際領先。項目成果實現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化推廣，在北京奧運會、“十城萬盞”示范工程等重大工程實現(xiàn)示范應用。

過去，半導體照明產(chǎn)品面臨電光轉(zhuǎn)化效率低、長期工作可靠性差、標準缺失等難題。該項目便主要面向這些難題，從半導體照明材料、芯片、封裝、模組與應用全鏈條開展產(chǎn)研聯(lián)合技術攻關，最終形成了具有自主知識產(chǎn)權的高光效長壽命半導體照明全套技術。

項目主要完成人、中科院半導體研究所研究員李晉閩介紹，目前，我國已有近50%的傳統(tǒng)光源被led產(chǎn)品所取代，每年累計實現(xiàn)節(jié)電約2800億度，相當于3個三峽水利工程的發(fā)電量，超過澳大利亞全年用電量。

三安光電副總經(jīng)理蔡文必表示，隨著各國淘汰白熾燈計劃進一步實施，led 通用照明市場將呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。此次項目成果多項技術率先在三安光電進行推廣與量產(chǎn)，促進三安光電作為全球知名外延芯片廠的技術發(fā)展，實現(xiàn)了我國半導體照明芯片由完全依賴進口發(fā)展到自主可控全面國產(chǎn)化。

除了半導體照明領域，蔡文必還介紹，三安光電也在聯(lián)合中科院等科研機構，向高端、新興半導體照明領域加快拓展。目前，三安光電投資在“泉州芯谷”南安園區(qū)建設的半導體項目和湖北省鄂州市葛店經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)mini/micro led顯示芯片產(chǎn)業(yè)化項目建設進展順利；三安項目分別投資高端氮化鎵led外延芯片、高端砷化鎵led外延芯片、mini/micro led芯片、車用led照明等領域。