根據《證券發(fā)行上市保薦業(yè)務管理辦法》、《上海證券交易所科創(chuàng)板股票上市規(guī)則》、《上海證券交易所上市公司持續(xù)督導工作指引》等有關法律、法規(guī)的規(guī)定，海通證券股份有限公司（以下簡稱“海通證券”或“保薦機構”）作為中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”或“公司”）持續(xù)督導工作的保薦機構，負責中微公司首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市后的持續(xù)督導工作，并出具本半年度持續(xù)督導跟蹤報告書。

保薦機構和保薦代表人發(fā)現的問題及整改情況——無。

重大風險事項

（一）核心競爭力風險

核心競爭力是企業(yè)在激烈市場競爭中賴以生存的差異化優(yōu)勢資源。目前，公司的核心競爭力主要體現在與產品有關的技術優(yōu)勢及產品服務解決方案上。如果公司未能保持在市場中的技術領先優(yōu)勢，沒有開拓其他具有競爭力的產品，不能提供滿足客戶需求的定制化服務等，公司的核心競爭力將受到影響。

（二）經營風險

1、下游客戶資本性支出波動較大及行業(yè)周期性特點帶來的風險近年來，全球半導體設備市場持續(xù)周期性波動態(tài)勢給公司帶來相應的經營風險。在行業(yè)景氣度提升過程中，產業(yè)往往加大資本性支出，快速提升對相關設備的需求；在行業(yè)景氣度下降過程中，半導體產業(yè)削減資本支出，進而對半導體設備的需求產生不利影響。公司的銷售和盈利情況也會受到上述影響發(fā)生相應波動，帶來相應的經營風險。

2、下游客戶擴產不及預期的風險

近年來，晶圓廠和 LED 芯片制造商審慎地進行擴產。不能排除下游晶圓廠和 LED 芯片制造商的后續(xù)投資不及預期，對相關設備的采購需求減弱，這將影響公司的訂單量，進而對公司的業(yè)績產生不利影響。

3、客戶集中度較高的風險

經過多年的努力，公司產品已經成功進入了海內外知名芯片制造企業(yè)的供應鏈體系，公司客戶結構得到不斷優(yōu)化，但客戶集中度仍然較高。雖然公司與主要客戶的合作關系較為穩(wěn)固，且隨著公司加大市場推廣，公司的客戶及產品結構日趨多元化，但客戶集中度較高可能給公司的經營帶來一定風險。如果主要客戶的生產經營發(fā)生重大問題或財務狀況出現惡化，將會對公司的產品銷售和應收賬款的及時回收等產生不利影響。

4、全體員工持股帶來的公司治理風險

作為科技創(chuàng)新型企業(yè)，公司秉承扁平化的全員激勵原則，對不同層級員工均給予股權激勵。員工持股計劃涉及公司全體員工的個人利益，在員工持股計劃限售期屆滿后，如何實現員工保持相當的激勵水平，對公司的管理能力提出了一定的挑戰(zhàn)。如果未來公司未能有效地管理員工持股計劃，未能使員工持股計劃持續(xù)作為員工整體薪酬的重要組成部分，將可能導致公司人員流失等治理風險。

5、政府補助與稅收優(yōu)惠政策變動的風險

公司自成立以來先后承擔了多項國家和地方重大科研項目，2017 年、2018年、2019 年和 2020 年上半年度年公司計入當期損益的政府補助金額為 1.17 億

元、1.70 億元、1.19 億元和 1.24 億元。如果公司未來不能持續(xù)獲得政府補助或政府補助顯著降低，將會對公司經營業(yè)績產生不利影響。公司為高新技術企業(yè)，報告期內公司享受高新技術企業(yè) 15%所得稅的優(yōu)惠

稅率，如果國家上述稅收優(yōu)惠政策發(fā)生變化，或者公司未能持續(xù)獲得高新技術企業(yè)資質認定，則可能面臨因稅收優(yōu)惠減少或取消而降低盈利的風險。

（三）行業(yè)風險

1、行業(yè)政策變化風險

集成電路產業(yè)作為信息產業(yè)的基礎和核心，是國民經濟和社會發(fā)展的戰(zhàn)略性產業(yè)。國家出臺了一系列鼓勵政策以推動我國集成電路及其裝備制造業(yè)的發(fā)展，增強信息產業(yè)創(chuàng)新能力和國際競爭力。若未來國家相關產業(yè)政策支持力度減弱，將對公司發(fā)展產生一定影響。

2、國際貿易摩擦加劇風險

近年來，國際貿易摩擦不斷。中美貿易摩擦在眾多國際貿易摩擦中備受關注。如果中美貿易摩擦繼續(xù)惡化，公司的生產運營將受到一定影響。

公司始終嚴格遵守中國和他國法律，一直保持與相關國家政府部門的及時溝通。公司擁有部分海外業(yè)務，存在一定的國際貿易摩擦風險。

（四）其他重大風險

1、知識產權風險

半導體設備行業(yè)是典型的技術密集型行業(yè)，為了保持技術優(yōu)勢和競爭力，防止技術外泄風險，已掌握先進技術的半導體設備企業(yè)通常會通過申請專利等方式設置較高的進入壁壘。公司一貫重視自主知識產權的研發(fā)，建立了科學的研發(fā)體系及知識產權保護體系，但仍不能排除與競爭對手產生知識產權糾紛，亦不能排除公司的知識產權被侵權，此類知識產權爭端將對公司的正常經營活動產生不利影響。

公司在全球范圍內銷售產品，在多個國家或地區(qū)注冊知識產權，但不同國別、不同的法律體系對知識產權的權利范圍的解釋和認定存在差異，若引發(fā)爭議甚至訴訟將影響業(yè)務經營。此外，產業(yè)鏈上下游供應商與客戶的經營也可能受知識產權爭議、訴訟等因素影響，進而間接影響公司正常的生產經營。

2、人力資源風險

關鍵技術人員是公司生存和發(fā)展的關鍵，也是公司獲得持續(xù)競爭優(yōu)勢的基礎。公司已經通過全員持股方式，有效提高了關鍵技術人員和研發(fā)團隊的忠誠度和凝聚力，但隨著半導體設備行業(yè)對專業(yè)技術人才的需求與日俱增，人才競爭不斷加劇，若公司不能提供更好的發(fā)展平臺、更有競爭力的薪酬待遇及良好的研發(fā)條件，存在關鍵技術人員流失的風險。公司通過員工持股安排等措施保證核心技術人員的穩(wěn)定性，但公司仍存在核心技術人員流失的風險。公司核心技術人員的流失將可能對公司研發(fā)項目的實施和進程等方面造成一定的影響。公司擁有大量技術和管理資深專家，集聚并培養(yǎng)了一大批行業(yè)內頂尖的技術人才。但如果未能持續(xù)引進、培養(yǎng)、激勵頂尖技術人才，公司將面臨頂尖技術人才不足的風險，進而可能導致在技術突破、產品創(chuàng)新方面有所落后。此外，創(chuàng)始人團隊對公司日常生產經營及技術研發(fā)具有重要作用，公司十分注重創(chuàng)始人團隊的穩(wěn)定性，創(chuàng)始人團隊在可預期的未來發(fā)生變動的可能性較低，但如公司創(chuàng)始人團隊出現重大變動，將可能對公司的在研項目進程、客戶關系維護、日常經營管理等方面造成一定的影響。

3、投資風險

針對契合公司的中長期發(fā)展戰(zhàn)略、有發(fā)展?jié)摿Φ臉说墓净虿块T，中微公司計劃通過股權投資、并購等方式進行布局，以拓展公司業(yè)務領域，培育新的利潤增長點，進一步提升公司防范市場波動風險并提升公司盈利能力。在進行投資和并購項目實施過程中，將面臨投資風險及并購風險。

（1）投資風險

基于產業(yè)支持政策、市場環(huán)境和發(fā)展趨勢，公司經過盡職調查及可行性研究作出項目投資決策。公司投資項目標的企業(yè)在后續(xù)發(fā)展過程中，可能面臨產業(yè)政策變化、市場環(huán)境變化、產品技術水平不達預期等諸多不確定因素，可能導致其實際經營表現不達預期，進而導致投資項目的實際效益與預期結果存在較大差異。

（2）并購風險

公司強調穩(wěn)健發(fā)展，堅持實施內生性增長與外延式并購相結合的發(fā)展策略。雖然公司未來并購時將繼續(xù)秉承審慎原則，相應制定整合計劃，防范并購風險，但若出現宏觀經濟波動、市場競爭加劇、被并購公司業(yè)績低于預期或協(xié)同效應未顯現等情形，將對公司的經營業(yè)績產生不利影響。

4、疫情風險

本次新冠肺炎疫情在全球范圍蔓延，受疫情影響，全球經濟面臨較大下行壓力，國內行業(yè)的健康發(fā)展也受到影響；疫情爆發(fā)對半導體行業(yè)上下游的影響仍在持續(xù)，市場對公司所處行業(yè)上下游的影響也傳遞至公司，可能對公司的經營造成一定影響。

5、研發(fā)投入不足導致技術被趕超或替代的風險

公司所處的半導體設備行業(yè)屬于技術密集型行業(yè)，半導體關鍵設備的研發(fā)涉及等離子體物理、射頻及微波學、結構化學、微觀分子動力學、光譜及能譜學、真空機械傳輸等多種科學技術及工程領域學科知識的綜合應用，具有產品技術升級快、研發(fā)投入大、研發(fā)周期長、研發(fā)風險高等特點。國外領先的半導體設備公司均在研發(fā)方面投入巨額資金。公司研發(fā)投入總額與國外領先的半導體公司有相當大的差距。如果公司未來研發(fā)資金投入不足，不能滿足技術升級需要，可能導致公司技術被趕超或替代的風險，對公司未來的經營業(yè)績產生不利影響。

核心競爭力的變化情況

公司主要從事半導體設備的研發(fā)、生產和銷售，為全球半導體制造商及其相關的高科技新興產業(yè)公司提供加工設備和工藝技術解決方案，助力他們提升技術水平、提高生產效率、降低生產成本。公司圍繞這一目標，不斷加強管理和研發(fā)能力，形成了優(yōu)秀的技術和管理團隊持續(xù)研發(fā)創(chuàng)新并推出有技術和市場競爭力的產品，構筑了公司突出的競爭優(yōu)勢。2020 年上半年度，公司核心競爭力未發(fā)生不利變化。

研發(fā)支出變化及研發(fā)進展

（一）研發(fā)支出變化情況

公司面向世界先進技術前沿，以國際先進的研發(fā)理念為依托，專注于高端微觀加工設備的自主研發(fā)和創(chuàng)新。公司始終保持大額的研發(fā)投入和較高的研發(fā)投入占比，報告期內研發(fā)投入達到 2.07 億元，較上年度同期增加 1,372.48 萬元；研發(fā)投入占營業(yè)收入的比重為 21.20%，較上年度同期減少 2.98 個百分點，比重下降主要系營業(yè)收入增長所致。

（二）研發(fā)進展

截至 2020 年 6 月 30 日，公司已申請 1,538 項專利，其中發(fā)明專利 1,350 項；已獲授權專利 1,035 項，其中發(fā)明專利 885 項。公司重視核心技術的創(chuàng)新。公司在設備的研發(fā)、設計和制造中始終強調創(chuàng)新和差異化。在開發(fā)等離子體刻蝕設備和 MOCVD 設備的過程中，招募國際和國內一流的技術人才。通過核心技術的創(chuàng)新，公司的產品已達到國際先進和國內領先水平。

1、刻蝕設備技術

在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)，公司開發(fā)的高端刻蝕設備已運用在國際知名客戶65 納米到 5 納米的芯片生產線上；同時，公司的 5 納米刻蝕設備用于若干關鍵步驟的加工，并已獲得行業(yè)領先客戶的批量訂單。公司目前正在配合客戶需求，開發(fā)新一代刻蝕設備和包括更先進大馬士革在內的刻蝕工藝，能夠涵蓋 5 納米以下刻蝕需求和更多不同關鍵應用的設備。在 3D NAND 芯片制造環(huán)節(jié)，公司的電容性等離子體刻蝕設備可應用于 64層的量產，同時公司根據存儲器廠商的需求正在開發(fā)新一代能夠涵蓋 128 層關鍵刻蝕應用以及相對應的極高深寬比的刻蝕設備和工藝。此外，公司的電感性等離子刻蝕設備已經在多個邏輯芯片和存儲芯片廠商的生產線上量產，根據客戶的技術發(fā)展需求，正在進行下一代產品的技術研發(fā)，以滿足 7 納米以下的邏輯芯片、1X 納米的 DRAM 芯片和 128 層以上的 3D NAND芯片等產品的 ICP 刻蝕需求，并進行高產出的 ICP 刻蝕設備的研發(fā)。

2、MOCVD 設備技術

公司的 MOCVD 設備 Prismo D-Blue、Prismo A7 能分別實現單腔 14 片 4 英寸和單腔 34 片 4 英寸外延片加工能力。公司的 Prismo A7 設備已在全球氮化鎵基 LED MOCVD 市場中占據領先地位。公司研發(fā)了用于制造深紫外光 LED 的MOCVD 設備，已在行業(yè)領先客戶端成功驗證，并取得了重復訂單，同時獲得多家行業(yè)主流企業(yè)與科研院所的訂單；用于 Mini LED 生產的 MOCVD 設備的研發(fā)工作正在有序進行中；另外，制造 Micro LED、功率器件等需要的 MOCVD 設備正在開發(fā)中。