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深度評測:挖掘藍海市場 紅外芯片性能能否堪當(dāng)大任

  LED已經(jīng)不單單滿足于通用照明市場的份額,隨著下游對一些特殊細(xì)分應(yīng)用市場的關(guān)注度提升,部分LED芯片廠商開始針對紫外、紅外等領(lǐng)域市場布局,并持續(xù)推陳出新。也正因為此,阿拉丁評測室接下來將開始把更多目光投向這一新興應(yīng)用領(lǐng)域,并針對開發(fā)應(yīng)用產(chǎn)品推出更多系列評測。

  晶元光電持續(xù)熱推的型號ES-SASFPN42D紅外芯片產(chǎn)品,曾“創(chuàng)下全世界發(fā)光效率最高的實驗室紀(jì)錄”而引發(fā)關(guān)注,最近我們拿到20個該型號樣品,為一探究竟,我們將樣品納入這一期的測試與評估。并特別邀請佛山市香港科技大學(xué)LED-FPD工程技術(shù)研究開發(fā)中心作為第三方檢測機構(gòu)對樣品參數(shù)和性能進行檢測。

  樣品初始為紅外芯片裸晶狀態(tài),尺寸42 mil X42 mil,厚度 6.7mil,為垂直結(jié)構(gòu)芯片,上表面焊點及下表面均為鍍金,如圖1所示。

圖1 芯片外觀

  此次實驗室評測是基于將該款芯片封裝到 5050 支架上進行性能測試,可以看到如圖2所示。

圖2 芯片封裝于 5050 支架

  基本光色電性能

  首先,利用遠方光譜分析系統(tǒng)及 0.3m 積分球(圖 3),并隨機抽取5顆樣品對該款樣品進行了光色電參數(shù)基本測試,其測試結(jié)果如表 1 所示。

 

圖3 遠方光譜分析系統(tǒng)及 0.3m 積分球

  表1 基本光色電參數(shù)(@ 350mA)

  隨機選取的5顆樣品在350mA電流狀態(tài)下,輸出的平均輻射功率為 316.4mW,電光轉(zhuǎn)換效率為 61.00%,平均峰值波長為 858.9 nm,半波寬為35.5nm。

  依據(jù)以往測試結(jié)果和經(jīng)驗來看,同樣操作條件下,一般紅外芯片電光轉(zhuǎn)換效果大概維持在50%左右,差不多高出約11%,也就是說,消耗同等電功率的情況下,可以提供較傳統(tǒng)芯片更高的亮度輸出。在一些高紅外照度需求的行業(yè),這在一定程度上可以為創(chuàng)造更高效率的紅外照明解決方案提供基礎(chǔ)。

  在表現(xiàn)LED光譜能量分布時我們常以峰值波長和光譜半波寬來作為重要參照。一般由GaAs材料制得的紅外LED在波長分布上明顯要比其他化合物種類、結(jié)構(gòu)制成的LED要寬,樣品測得平均峰值波長858.9nm,一般認(rèn)為,850-950nm范圍已經(jīng)屬于長波長紅外光,與此前一直在受波長寬幅掣肘的傳統(tǒng)紅外芯片對比來看,確實有不小的進步。從峰值波長曲線對應(yīng)的半波寬平均值為35.5nm,可以看出光譜寬度還是比較窄的,說明在發(fā)光顏色上比較鮮明純凈,十分清晰。


  伏安特性曲線

  隨機抽取 5 個樣品進行伏安特性測試,結(jié)果如圖 4 所示。


  圖4 伏安特性曲線

  LED的性能可用其伏安特性來描述。圖中曲線反映了電壓與電流變化的關(guān)系,在施加正向電壓較小時,電流變化也很小,幾乎為零,當(dāng)超過1.2V時,隨著電壓升高,電流迅速增大,變化幅度加大,呈指數(shù)曲線關(guān)系,達到1.5V電壓狀態(tài)下,工作電流達到350mA。

  當(dāng)超過“死區(qū)電壓”之后,電壓變化很小的情況下,電流變化很大。業(yè)界一般認(rèn)為,大功率LED工作電流為350mA,在需要進行恒流電路供電的狀態(tài)下應(yīng)該考慮LED的過電流問題。當(dāng)然,從曲線來看,樣品在一定電壓范圍內(nèi),電流處于工作范圍內(nèi),這對于LED的降低功耗和減少老化周期具有相當(dāng)意義。

  光色電性能的溫度變化特性

  在遠方 0.3m 積分球的基礎(chǔ)上配備專用水冷控溫夾具(圖 5),可測試樣品在不同溫度下的光色電參數(shù)的變化。該測評產(chǎn)品的光色電參數(shù)結(jié)果如圖 6——圖 9 所示。


  圖5 0.3m 積分球(配有專用水冷控溫夾具)

  1)正向電壓-溫度變化特性(@ 350mA)


圖6 正向電壓-溫度變化曲線

  2)輻射功率維持率-溫度變化特性(@ 350mA):

 圖7 輻射功率維持率-溫度變化曲線

  3)電光轉(zhuǎn)換效率-溫度變化特性(@ 350mA):

圖8 電光轉(zhuǎn)換效率-溫度變化曲線

  4)峰值波長及半波寬-溫度變化特性(@ 350mA):

   圖9 峰值波長及半波寬-溫度變化特性

  由圖 7 與圖 9 可以看出,該款產(chǎn)品在 20℃到 80℃的溫度變化下,輻射功率衰減了9%左右,衰減率約為 0.15%/℃;峰值波長隨溫度升高產(chǎn)生紅移,變化率約為 0.23 nm/℃。


  不同電流下的光色電性能

  1)輻射功率隨電流變化特性:

 圖10 輻射功率-電流曲線

  2)電光轉(zhuǎn)換效率隨電流變化特性:

  圖 11 電光轉(zhuǎn)換效率-電流曲線

  由圖 10—圖 11 可以看出,輻射功率隨著工作電流的增加而線性增加, 電光轉(zhuǎn)換效率則隨著工作電流的增加而線性減少。


圖12 輻射通量維持率隨溫度變化

  基于時間與成本的考慮,我們進行了336h高溫高濕環(huán)境下的老化測試。

  老化條件為85℃&85%RH,350mA電流點亮,我們在0h、168h、336h分別作了光色電性能測試,計算,輻射功率維持率在168h之后基本保持在98.8%的水平,在一定程度上可以認(rèn)為此款樣品經(jīng)過老化后性能保持穩(wěn)定。

  小結(jié):

  從轉(zhuǎn)向特殊細(xì)分應(yīng)用市場甫一開始,安防、醫(yī)療、汽車等領(lǐng)域就是這類紅外芯片產(chǎn)品劍指的目標(biāo),隨著越來越多企業(yè)參與進來,產(chǎn)品線越來越豐富,紅外照明技術(shù)依舊面臨諸多亟需突破的瓶頸,電光轉(zhuǎn)換效率、波長寬度、產(chǎn)品功耗以及穩(wěn)定性都需進一步精進。此款紅外芯片產(chǎn)品從一發(fā)布便引發(fā)關(guān)注,依測試結(jié)果來看,其在光色表現(xiàn)和穩(wěn)定性上堪稱優(yōu)秀,同時溫度變化條件下的光色電性能能夠保持在相對較小范圍內(nèi)的波動,可適應(yīng)多種環(huán)境和領(lǐng)域的應(yīng)用需要。


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