前有VEECO訴訟中微，今有美光訴訟晉華，兩宗針對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)的訴訟案件給中國(guó)的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)熱正面潑來(lái)了一盆冷水。

　　本月初，美光根據(jù)“保護(hù)營(yíng)業(yè)秘密法”，以及“反勒索及受賄組織法”，在加州北部聯(lián)邦法庭提起民事訴訟申請(qǐng)，狀告臺(tái)灣代工廠聯(lián)華電子（UMC）和福建晉華盜竊其商業(yè)機(jī)密等不當(dāng)行為。美光公司發(fā)言人稱“美光積極保護(hù)其全球智財(cái)權(quán)，并將利用所有可用的法律武器來(lái)解決一切盜用行為?！?

　　同為專注于存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的公司，美光為國(guó)際大鱷，并與三星和SK海力士分享著全球90%以上的DRAM芯片蛋糕，而晉華則為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)中的新貴，與長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫被稱為中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的三駕馬車。從體量上來(lái)說(shuō)，晉華遠(yuǎn)不是美光的對(duì)手，不至于因?yàn)樯鉀_突對(duì)簿公堂，但包括晉華在內(nèi)的中國(guó)存儲(chǔ)新勢(shì)力的崛起所帶來(lái)的潛在威脅，這也許才是美光所無(wú)法忽視的。

　　近幾年，作為渴望在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)自主突破的中國(guó)來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)成為了重要的突破口，尤其是在全球DRAM芯片九成份額都掌握在韓美兩國(guó)的大背景下。

　　去年，武漢投資1600億元人民幣建設(shè)世界級(jí)存儲(chǔ)器基地，主攻方向是NAND Flash。雖然當(dāng)時(shí)并沒(méi)有引起市場(chǎng)太多反彈，但隨著目前國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)器廠商陸續(xù)進(jìn)入設(shè)備安裝階段，巨頭們顯然無(wú)法坐的安穩(wěn)了。

　　先是三星宣布繼續(xù)擴(kuò)大資本支出，從去年的113億美元增加至260億美元，在研發(fā)池中穩(wěn)固自我優(yōu)勢(shì)，后是聯(lián)合SK海力士向客戶發(fā)出漲價(jià)通知，明年一季度DRAM將會(huì)繼續(xù)漲價(jià)，拉開(kāi)產(chǎn)能差距。再結(jié)合美光近期的激進(jìn)行為，三家全球頂級(jí)存儲(chǔ)器廠商都已經(jīng)出招。

　　從這個(gè)角度看，針對(duì)中國(guó)企業(yè)的專利的大戰(zhàn)將會(huì)隨時(shí)打響。過(guò)去三星、海力士和美光在專利侵權(quán)方面傾向于相互之間睜一只眼閉一只眼，但是，如果一家新公司進(jìn)入市場(chǎng)，他們將不會(huì)給予這樣的優(yōu)待。而中國(guó)企業(yè)想要避開(kāi)三星專利下做出3D NAND，顯然是非常困難的。并且，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)在初級(jí)階段可以依靠“燒錢”形成一定的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，但如果想要在高精尖的技術(shù)上實(shí)現(xiàn)突破將會(huì)需要更長(zhǎng)的時(shí)間。

　　但是，作為一個(gè)重要的半導(dǎo)體器件，存儲(chǔ)器占了集成電路產(chǎn)值的三分之一，即便是距離成功的路途再遙遠(yuǎn)，也需要持續(xù)投入。所以，這幾年不少地方政府不計(jì)成本的投入本質(zhì)上也是在加速技術(shù)擴(kuò)散的過(guò)程，以吸引更多的先進(jìn)技術(shù)和管理方法進(jìn)入國(guó)內(nèi)，從而縮小與國(guó)際巨頭之間的差距。