隨著科技的發(fā)展，薄膜體聲波器件在越來越多的范圍內(nèi)得到廣泛的應用?，F(xiàn)有技術(shù)中，薄膜體聲波器件的制備方法一般為在金屬底電極上沉積氧化物介質(zhì)薄膜，然后在氧化物薄膜上制備金屬頂電極，形成金屬-氧化物-金屬的三明治結(jié)構(gòu)。

FBAR-BAW濾波器

　　其中關(guān)鍵技術(shù)是氧化物介質(zhì)薄膜的制備，常見的氧化物介質(zhì)薄膜制備方法包括脈沖激光沉積法、磁控濺射法、原子層沉積法、熱蒸發(fā)法等。然而，這些傳統(tǒng)的薄膜制備方法都存在著許多問題，比如，一般都需要在較高的溫度下生長氧化物薄膜，很難與現(xiàn)有CMOS工藝相兼容。此外，由于受晶格失配、熱失配以及界面缺陷等因素的影響，這些傳統(tǒng)的薄膜制備方法都無法在多晶金屬底電極上生長出高質(zhì)量的單晶氧化物薄膜。

　　此外，采用傳統(tǒng)的薄膜制備方法制備的非晶或多晶薄膜存在的問題包括：一方面，非晶和多晶薄膜中都存在多種不同的缺陷；另一方面，缺陷在非晶和多晶薄膜中的分布是隨機的，這對于縮小器件尺寸、器件參數(shù)的穩(wěn)定與優(yōu)化、可靠性研究等都是難以突破的瓶頸。因此，推動薄膜體聲波器件發(fā)展的關(guān)鍵在于如何在金屬襯底上高效地制備高質(zhì)量單晶氧化物薄膜。

　　【推薦發(fā)明專利】

　　《利用薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)制備薄膜體聲波器件的方法》

　　【發(fā)明內(nèi)容】

　　本發(fā)明提供一種新的方法制備金屬電極-單晶氧化物-金屬電極的薄膜體聲波濾波器核心結(jié)構(gòu)，有效解決金屬電極間無法制備單晶氧化物的問題。

　　本發(fā)明采用離子剝離工藝形成氧化物單晶薄膜，薄膜與基底通過鍵合的方式集成，因此對晶格匹配度幾乎沒有要求，薄膜材料與基底材料的選擇較為靈活；得到的薄膜實際上是被剝離塊材的一部分，因此其晶體質(zhì)量和性能理論上與塊材相當，若使用單晶塊材進行剝離，則可以得到單晶的薄膜材料。

　　與傳統(tǒng)薄膜生長技術(shù)得到的薄膜材料不同，采用鍵合的方式可以將缺陷控制在界面附近極小的厚度范圍內(nèi)，薄膜內(nèi)部晶格質(zhì)量不受影響，即使剝離的薄膜厚度很小，也能夠保證材料性能；并且，可以在同一基底上同時集成不同種類的高質(zhì)量薄膜，且各薄膜材料的性能不受制備過程的影響，極大地提高器件的集成度與設計的靈活度；采用共離子注入，可以有效地降低剝離及轉(zhuǎn)移薄膜所需的離子總注入劑量，進而縮短了制備周期，節(jié)約了生產(chǎn)成本；同時，使用該方法還可以解決部分材料使用單一離子注入無法實現(xiàn)剝離的問題。