8月3日，科技部發(fā)布了國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“智能機(jī)器人”等重點(diǎn)專項(xiàng)2018年度項(xiàng)目申報(bào)指南，其中“制造基礎(chǔ)技術(shù)與關(guān)鍵零部件”重點(diǎn)專項(xiàng)在列，包含先進(jìn)傳感器和高端儀器儀表等內(nèi)容。

　　根據(jù)“制造基礎(chǔ)技術(shù)與關(guān)鍵零部件”重點(diǎn)專項(xiàng)2018年度項(xiàng)目申報(bào)指南，本重點(diǎn)專項(xiàng)按照產(chǎn)業(yè)鏈部署創(chuàng)新鏈的要求，從基礎(chǔ)前沿技術(shù)、共性關(guān)鍵技術(shù)、應(yīng)用示范三個(gè)層面，圍繞關(guān)鍵基礎(chǔ)件、基礎(chǔ)制造工藝、先進(jìn)傳感器、高端儀器儀表和基礎(chǔ)保障技術(shù)五個(gè)方向部署實(shí)施。專項(xiàng)實(shí)施周期為5年（2018-2022年）。

　　2018年，在五個(gè)方向按照基礎(chǔ)前沿技術(shù)類、共性關(guān)鍵技術(shù)類和應(yīng)用示范類，擬啟動(dòng)不少于43個(gè)項(xiàng)目，擬安排國(guó)撥經(jīng)費(fèi)總概算約6億元。（更多詳情請(qǐng)見附件）。

　　涉及先進(jìn)傳感器和高端儀器儀表的內(nèi)容中國(guó)儀表網(wǎng)整理如下：

　　一、 先進(jìn)傳感器

　　1. 高性能硅壓力、加速度、角速度傳感器前沿技術(shù)（基礎(chǔ)前沿技術(shù)類）

　　研究?jī)?nèi)容：研究新型諧振式硅傳感器敏感原理和結(jié)構(gòu)；研究傳感器非線性效應(yīng)、耦合效應(yīng)、溫度效應(yīng)及工藝誤差影響；研究傳感器優(yōu)化設(shè)計(jì)、制造工藝精確控制、低應(yīng)力封裝等關(guān)鍵技術(shù)；開發(fā)閉環(huán)信號(hào)檢測(cè)與控制電路系統(tǒng)集成技術(shù)；研制高精度硅壓力傳感器、加速度傳感器、角速度傳感器原型器件，并在流程工業(yè)與機(jī)器人領(lǐng)域試用驗(yàn)證。

　　考核指標(biāo)：壓力傳感器量程0——1MPa，精度優(yōu)于0.01%FS；加速度傳感器量程±15g，零偏穩(wěn)定性優(yōu)于1g；角速度傳感器量程±200/s，零偏穩(wěn)定性優(yōu)于0.1/h。

　　2.基于量子效應(yīng)的微納傳感器前沿技術(shù)（基礎(chǔ)前沿技術(shù)類）

　　研究?jī)?nèi)容：研究基于量子效應(yīng)的芯片式角速度傳感器、磁場(chǎng)傳感器設(shè)計(jì)方法；研究傳感器電子自旋-核自旋相互作用機(jī)理、溫度效應(yīng)；研究諧振頻率控制、微型腔室制備、真空封裝等關(guān)鍵技術(shù)；開發(fā)激光器、探測(cè)器、處理電路系統(tǒng)集成技術(shù)；研制高精度角速度傳感器、磁場(chǎng)傳感器原型器件，并在重大技術(shù)裝備中試用驗(yàn)證。

　　考核指標(biāo)：角速度傳感器表頭體積≤100cm3，量程±200/s，零偏穩(wěn)定性優(yōu)于0.1/h；磁場(chǎng)傳感器表頭體積≤10cm3，靈敏度優(yōu)于10fT/Hz1/2。

　　3.無(wú)線無(wú)源微納傳感器前沿技術(shù)（基礎(chǔ)前沿技術(shù)類）

　　研究?jī)?nèi)容：研究微型化聲表面波（SAW）、電感-電容（LC）無(wú)線傳感器設(shè)計(jì)；研究傳感器多參數(shù)敏感的耦合效應(yīng)；研究傳感器結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì)、曲面襯底上傳感器制備工藝、封裝、工業(yè)環(huán)境無(wú)線信號(hào)傳輸?shù)汝P(guān)鍵技術(shù)；開發(fā)信號(hào)調(diào)制解調(diào)技術(shù)及處理電路系統(tǒng)集成技術(shù)；研制SAW和LC多參數(shù)監(jiān)測(cè)傳感器原型器件，并在燃?xì)廨啓C(jī)主軸、軸承健康狀況監(jiān)測(cè)中試用驗(yàn)證。

　　考核指標(biāo)：SAW傳感器：溫度量程-40℃——+1000℃，誤差±1%；應(yīng)變量程±3000μ，誤差±1%；氣壓量程0——4MPa，誤差±1%。LC傳感器：溫度量程-20℃——+120℃，誤差±1%；應(yīng)變量程±1000μ，誤差±1%；振動(dòng)量程±6g，誤差±1%。

　　4.微納傳感器與電路協(xié)同設(shè)計(jì)技術(shù)及設(shè)計(jì)工具（共性關(guān)鍵技術(shù)類）

　　研究?jī)?nèi)容：建立熱/機(jī)械/電學(xué)多物理場(chǎng)耦合模型、硅表面加工與體加工工藝模型、閉環(huán)控制傳感器宏模型；研究具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、包含器件級(jí)、工藝級(jí)、系統(tǒng)級(jí)設(shè)計(jì)功能的微納傳感器綜合設(shè)計(jì)工具；研究微納傳感器與電路協(xié)同設(shè)計(jì)技術(shù)，并實(shí)現(xiàn)與集成電路（IC）設(shè)計(jì)工具的無(wú)縫連接；形成集成傳感器知識(shí)產(chǎn)權(quán)庫(kù)（IP），IP經(jīng)過(guò)生產(chǎn)線驗(yàn)證。

　　考核指標(biāo)：器件級(jí)耦合分析自由度≥1×107；工藝級(jí)仿真與實(shí)驗(yàn)偏差優(yōu)于5%；系統(tǒng)級(jí)仿真與實(shí)驗(yàn)偏差優(yōu)于10%；閉環(huán)控制集成傳感器IP不少于3種，軟件銷售≥10套。

　　5.微納傳感器與電路單片集成工藝技術(shù)及平臺(tái)（共性關(guān)鍵技術(shù)類）

　　研究?jī)?nèi)容：研究在同一芯片上制造微納傳感器與IC的工藝技術(shù)；以互補(bǔ)-金屬-氧化物-硅（CMOS）工藝線為基礎(chǔ)，研究與 CMOS工藝兼容的微納傳感器表面加工、體加工、硅直接鍵合加工等關(guān)鍵技術(shù)；建立可量產(chǎn)的微納傳感器與電路單片集成制造技術(shù)并形成標(biāo)準(zhǔn)制程規(guī)范，實(shí)現(xiàn)單片集成微納傳感器規(guī)模化生產(chǎn)。

　　考核指標(biāo)：圓片直徑≥150mm，單片集成傳感器成品率≥80%，成套制程規(guī)范或標(biāo)準(zhǔn)≥3項(xiàng)；服務(wù)用戶數(shù)≥3家，開發(fā)單片集成傳感器不少于3種，生產(chǎn)能力≥5000片/年，銷售單片集成傳感器≥100萬(wàn)只。

　　6.高溫硅壓力傳感器關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用（應(yīng)用示范類）

　　研究?jī)?nèi)容：研究高可靠性MEMS高溫硅壓力傳感器結(jié)構(gòu)優(yōu)化技術(shù)；研究低應(yīng)力無(wú)引線封裝、溫度補(bǔ)償、高溫專用電路（ASIC）芯片等關(guān)鍵技術(shù)；開發(fā)測(cè)控接口電路；實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)并在重大技術(shù)裝備中應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：溫度范圍-55℃——+225℃，量程0——200kPa、0——60MPa，精度優(yōu)于0.25%FS，零點(diǎn)漂移優(yōu)于2%FS@100℃，長(zhǎng)期穩(wěn)定性優(yōu)于0.1%FS/年，固頻率≥200kHz，過(guò)載壓力≥2倍額定壓力；形成傳感器芯片制造、封裝到應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)化鏈，生產(chǎn)能力≥5000 套/年，銷售量≥1000 套。

　　有關(guān)說(shuō)明：由企業(yè)牽頭申報(bào)。

　　7.單片集成多軸傳感器關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用（應(yīng)用示范類）

　　研究?jī)?nèi)容：研究單芯片集成多軸傳感器可復(fù)用的模塊化設(shè)計(jì)技術(shù)；研究傳感器單面微機(jī)械加工工藝、芯片內(nèi)薄膜真空封裝等關(guān)鍵技術(shù)；開發(fā)多軸傳感器信號(hào)處理、融合與測(cè)試技術(shù)；形成單芯片集成多軸傳感器制程規(guī)范，實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)并在大型起重輸運(yùn)裝備、電梯生產(chǎn)線等行業(yè)應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：晶圓直徑≥150mm，成品率≥90%；單片三軸磁場(chǎng)傳感器分辨率優(yōu)于50nT，單片三軸加速度傳感器分辨率優(yōu)于100g，單片三軸角速度傳感器偏置穩(wěn)定性優(yōu)于1/h，單片三分量應(yīng)力傳感器分辨率優(yōu)于10kPa；生產(chǎn)能力≥5000片/年，銷售量≥100萬(wàn)只。

　　有關(guān)說(shuō)明：由企業(yè)牽頭申報(bào)。

　　8、無(wú)線紅外高溫微納傳感器關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用（應(yīng)用示范類）

　　研究?jī)?nèi)容：研究硅基紅外傳感器設(shè)計(jì)優(yōu)化、制造工藝、封裝、可靠性、測(cè)試等關(guān)鍵技術(shù)；研究工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境下，高精度、非接觸、紅外高溫溫度測(cè)量技術(shù)；開發(fā)無(wú)線能量收集及信號(hào)傳輸技術(shù)；實(shí)現(xiàn)無(wú)線紅外高溫微納傳感器批量化生產(chǎn)，并在高溫熔煉爐監(jiān)測(cè)中應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：傳感器量程 600℃——1600℃，誤差±0.5%，響應(yīng)時(shí)間≤20ms，生產(chǎn)能力≥5000 套/年，銷售量≥1000 套。

　　有關(guān)說(shuō)明：由企業(yè)牽頭申報(bào)。

　　9、運(yùn)動(dòng)部件壁面溫度微納傳感器關(guān)鍵技術(shù)及應(yīng)用（應(yīng)用示范類）

　　研究?jī)?nèi)容：研究微納溫度傳感器優(yōu)化設(shè)計(jì)方案；研究運(yùn)動(dòng)部件曲面基底上高溫絕緣層、緩沖層、溫度敏感層的原位制造和微加工技術(shù)；研究微納溫度傳感器在高溫、高速、強(qiáng)振等惡劣環(huán)境下的可靠性；研究傳感器標(biāo)定、信號(hào)無(wú)線引出及多傳感器系統(tǒng)集成技術(shù)；實(shí)現(xiàn)微納溫度傳感器批量化生產(chǎn)，并在重大技術(shù)裝備中示范應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：傳感器量程100℃——1300℃，誤差±1.0%；響應(yīng)時(shí)間≤10ms，無(wú)線傳遞距離≥2mm；抗振動(dòng) 1000Hz/20g，抗沖擊100g/8ms 半正弦波，生產(chǎn)能力≥5000 套/年，銷售量≥1000 套。

　　有關(guān)說(shuō)明：由企業(yè)牽頭申報(bào)。

　　二、高端儀器儀表

　　1. 基于語(yǔ)義交互集成的儀器儀表新型體系架構(gòu)（基礎(chǔ)前沿技術(shù)類）

　　研究?jī)?nèi)容：研究標(biāo)準(zhǔn)化語(yǔ)義描述、元數(shù)據(jù)提取、分類編碼規(guī)則等儀器儀表信息交互基礎(chǔ)方法；研究基于語(yǔ)義交互的儀器儀表信息集成與智能互聯(lián)技術(shù)；開發(fā)適應(yīng)語(yǔ)義交互集成、可重構(gòu)的儀器儀表新型技術(shù)架構(gòu)；在面向智能工廠應(yīng)用的典型儀器儀表上開展原理驗(yàn)證。

　　考核指標(biāo)：語(yǔ)義描述基礎(chǔ)數(shù)據(jù)庫(kù)覆蓋儀器儀表數(shù)≥50種、數(shù)據(jù)量≥30萬(wàn)條；新型技術(shù)架構(gòu)具備語(yǔ)義交互集成、自主智能、模塊可重構(gòu)等功能，自主重構(gòu)裝載任務(wù)配置能力達(dá)到 10ms 量級(jí)，在2類以上的智能化儀器儀表進(jìn)行原理驗(yàn)證。

　　2.基于量子效應(yīng)的儀表原位標(biāo)校技術(shù)（基礎(chǔ)前沿技術(shù)類）

　　研究?jī)?nèi)容：研究基于量子效應(yīng)實(shí)現(xiàn)儀表原位標(biāo)校的基礎(chǔ)方法；研究量子磁通調(diào)控和數(shù)模轉(zhuǎn)換技術(shù)、量子準(zhǔn)確度任意電壓信號(hào)合成技術(shù)；建立以量子數(shù)模轉(zhuǎn)換為核心的標(biāo)準(zhǔn)級(jí)電壓校準(zhǔn)器物理系統(tǒng)并在儀器儀表制造行業(yè)開展原理驗(yàn)證。

　　考核指標(biāo)：實(shí)現(xiàn)直流至10kHz 量子電壓信號(hào)輸出，幅度有效值達(dá)到1V，有效值準(zhǔn)確度優(yōu)于2μV@（1V，直流——1kHz）、3μV@（1V，1kHz——10kHz），最大諧波失真優(yōu)于-100dBc@（1V，1kHz），基于量子數(shù)模轉(zhuǎn)換物理系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)電壓源/表的原位標(biāo)校方法不確定度優(yōu)于 5μV/V@（1V，1kHz）。

　　3、具備邊緣計(jì)算能力的新型儀器儀表（共性關(guān)鍵技術(shù)類）

　　研究?jī)?nèi)容：研究?jī)x器儀表嵌入式硬件計(jì)算資源分配、計(jì)算效能等的基礎(chǔ)理論與技術(shù)；研究?jī)x器儀表邊緣計(jì)算的數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)分析與處理等技術(shù)；研制面向智能工廠應(yīng)用的基于邊緣計(jì)算技術(shù)的新型儀器儀表，并在典型流程行業(yè)示范應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：研發(fā)具備自診斷、自學(xué)習(xí)、自決策和網(wǎng)絡(luò)服務(wù)能力的壓力、流量、氣體分析等 3 類智能化儀器儀表，儀器儀表邊緣計(jì)算響應(yīng)時(shí)間≤100ms，自學(xué)習(xí)壓力、流量、氣體分析趨勢(shì)變化率等，自診斷效率≥95%。

　　4.面向惡劣環(huán)境的儀器儀表可靠性設(shè)計(jì)及驗(yàn)證技術(shù)（共性關(guān)鍵技術(shù)類）

　　研究?jī)?nèi)容：研究冶金、化工、船舶等高溫和高鹽霧腐蝕等惡劣環(huán)境條件下典型儀器儀表失效機(jī)理與模型、可靠性設(shè)計(jì)與仿真方法；研究可靠性高加速壽命和加速篩選等試驗(yàn)方法；建立惡劣環(huán)境下儀器儀表可靠性保障體系與驗(yàn)證平臺(tái)；研制高可靠?jī)x表，開展可靠性設(shè)計(jì)驗(yàn)證。

　　考核指標(biāo)：惡劣環(huán)境下儀器儀表可靠性設(shè)計(jì)與試驗(yàn)分析軟件1套；建立可靠性保障規(guī)范與驗(yàn)證平臺(tái)；研制溫度、壓力、流量等惡劣環(huán)境條件下使用的驗(yàn)證性儀表，儀表平均故障間隔時(shí)間≥8000h。

　　5.高性能真空監(jiān)測(cè)儀表（應(yīng)用示范類）

　　研究?jī)?nèi)容：研究高真空測(cè)量用閥體組件、標(biāo)準(zhǔn)連接裝置等關(guān)鍵部件，以及高真空密封裝配技術(shù)；研制高密封、高真空、寬量程、低功耗的真空監(jiān)測(cè)儀表；在易燃易爆流體儲(chǔ)運(yùn)、真空鍍膜、真空冶煉等制造領(lǐng)域示范應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：組件整體漏率≤10-11Pa•m3•s-1，壓力測(cè)量范圍105Pa——10-5Pa，測(cè)量誤差優(yōu)于±15%@（10-2Pa——10-5Pa）；儀表總功耗≤5W。

　　有關(guān)說(shuō)明：由企業(yè)牽頭申報(bào)。

　　6.汽車關(guān)鍵部件裝配缺陷視覺(jué)檢測(cè)儀（應(yīng)用示范類）

　　研究?jī)?nèi)容：研究適用于工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的汽車關(guān)鍵部件裝配缺陷檢測(cè)原理及方法，建立裝配缺陷視覺(jué)檢測(cè)模型；研究三維光學(xué)傳感系統(tǒng)設(shè)計(jì)與集成、工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)裝配環(huán)境下的復(fù)雜形貌三維重構(gòu)、裝配缺陷特征表示及識(shí)別等關(guān)鍵技術(shù)；研制具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的汽車關(guān)鍵部件裝配缺陷視覺(jué)檢測(cè)儀；在汽車發(fā)動(dòng)機(jī)等關(guān)鍵部件裝配生產(chǎn)線開展示范應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：?jiǎn)我朁c(diǎn)檢測(cè)時(shí)間≤3s，裝配缺陷檢測(cè)靈敏度≤±20μm，形貌重構(gòu)精度≤0.1mm，裝配缺陷識(shí)別種類≥20種，裝配缺陷識(shí)別準(zhǔn)確率≥99%；形成汽車裝配缺陷視覺(jué)檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)；儀器銷售量不少于10套；在不少于2個(gè)汽車關(guān)鍵部件裝配環(huán)節(jié)示范應(yīng)用。

　　有關(guān)說(shuō)明：由企業(yè)牽頭申報(bào)。

　　7.特種工況實(shí)時(shí)在線測(cè)量?jī)x表（應(yīng)用示范類）

　　研究?jī)?nèi)容：研究特種工況實(shí)時(shí)在線測(cè)量?jī)x表的材料改性、敏感元器件優(yōu)化、防護(hù)提升等工程化關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)適用相應(yīng)工況的壓力變送器、流量計(jì)和液位計(jì)等測(cè)量?jī)x表；在光熱發(fā)電、核電、化工等領(lǐng)域示范應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：壓力測(cè)量范圍0——7MPa，精度優(yōu)于±0.075%FS；流量測(cè)量范圍0——5m3/h，精度優(yōu)于±1%FS；液位測(cè)量范圍0——10m，精度優(yōu)于±0.03%FS；上述3 類儀表可測(cè)量介質(zhì)溫度≥550℃，原位測(cè)量特殊介質(zhì)包括熔融金屬、高溫鹽質(zhì)、加氫原料、氧化流體等；至少在2個(gè)領(lǐng)域開展示范應(yīng)用且滿足該領(lǐng)域的其他特殊使用要求。

　　有關(guān)說(shuō)明：由企業(yè)牽頭申報(bào)。

　　8.高性能特種控制閥（應(yīng)用示范類）

　　研究?jī)?nèi)容：研究適用于高溫、高壓差和高流速等特殊工況的特種控制閥整體構(gòu)造、減壓結(jié)構(gòu)、材料處理、密封形式等關(guān)鍵技術(shù)；開發(fā)特種控制閥門，并在石化高壓反應(yīng)、核電等領(lǐng)域開展示范應(yīng)用。

　　考核指標(biāo)：控制閥使用溫度≥350℃，控制壓差≥17.0MPa，調(diào)節(jié)精度優(yōu)于±1.5%，可調(diào)比≥100:1，閥座泄漏率達(dá)到Ⅴ級(jí)，系列化閥門口徑最大可達(dá)DN450。