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飛思卡爾半導體日前憑借第七代高壓(HV7)射頻LDMOS技術,成功地取得了在3.5 GHz頻段運行的符合WiMAX基站所需的射頻功率放大器性能。通過提供采用射頻LDMOS和GaAs PHEMT技術的功率晶體管,飛思卡爾的射頻解決方案能夠支持高功率無線基礎設施應用,其中LDMOS的性能高達3.8 GHz,而GaAs PHEMT的性能則高達6 GHz。

首批3.5 GHz LDMOS設備的樣品MRF7S38075H現已問世。它是一個75瓦特的P1dB 射頻晶體管,平均功率為42dBm (16W),滿足在3.5 GHz頻段運行的WiMAX設備的性能要求。此外,40W和10W的 P1dB 3.5 GHz設備也將于近期面市。

這三款射頻LDMOS設備擴大了飛思卡爾現有的射頻功率晶體管系列的產品陣容。同時,HV7 LDMOS設備完善了12V GaAs PHEMT設備的功能,使其能夠適應3.5 GHz的 WiMAX應用。而目前正在開發(fā)的新型高壓GaAs設備將可在高達6 GHz的頻段運行,當運行電壓達到20 V以上,GaAs設備能夠達到高達100 W的輸出功率,同時還能滿足數字調制系統(tǒng)的嚴格要求。

據市場研究機構iSuppli公司估計,2006年全球WiMAX的市場份額約為10億美元,而2009年將達到20億美元。而中國的WiMAX市場將于2006年開始啟動,2010年中國的WiMAX用戶數有望達到300萬戶。