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原子尺度存儲器有望實現最高密度存儲
原子尺度存儲器有望實現最高密度存儲
 更新時間:2008-8-17 20:07:40  點擊數:5
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用溶液工藝法制造高效雙層綠色OLED
 

  威斯康星大學的科學家制成了一種用原子而不是硅元件表示數據的原子尺度存儲器。這個成就是向實現存儲密度比CD-ROM高一百萬倍的實際存儲器邁出的第一步。

 

 這種原子尺度存儲器的制造不使用普通存儲芯片所用的光刻技術。利用光刻技術提高目前芯片的存儲密度既昂貴又困難。

  這種存儲器被做在自動形成溝槽的硅表面上,溝槽中排列著幾排硅原子,就像水槽中堆積著乒乓球。研究人員用掃描隧道顯微鏡探針拿起一個個硅原子,產生了一個個代表“0”的空隙,而留在原位的原子代表“1”。

  和普通存儲器技術相似,這種原子尺度器件可以在室溫下被初始化、格式化、寫入、讀出。但科學家發(fā)現在極低溫下一次一個地控制原子并使它們保持穩(wěn)定要比在室溫下容易得多。

  盡管這項研究證明了原子尺度存儲器的可行性,并為研究數據存儲的基本極限提供了一個平臺,但是要想獲得可以大量生產的切實可用的原子存儲器,還需要數年時間改進這項技術。

  更多信息請聯(lián)系威斯康星大學的Terry Devitt,電子郵件:trdevitt@facstaff.wisc.edu或瀏覽www.physics.wisc.edu/~himpsel/memory.html。


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