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基于CPLD控制的直流固態(tài)功率控制器的設(shè)計(jì)
基于CPLD控制的直流固態(tài)功率控制器的設(shè)計(jì)
 更新時(shí)間:2008-8-3 16:35:41  點(diǎn)擊數(shù):12
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        SSPC(固態(tài)功率控制器)是由半導(dǎo)體器件構(gòu)成的智能開(kāi)關(guān)裝置,用于接通/斷開(kāi)電路,實(shí)現(xiàn)電路保護(hù)和接收上級(jí)計(jì)算機(jī)的控制信號(hào)并向上位機(jī)實(shí)時(shí)反饋其狀態(tài)信息。由于控制邏輯完全由CPLD內(nèi)部的硬件電路完成,因此與功率器件一起工作時(shí),具有很好的電磁兼容性和抗干擾能力。研制多開(kāi)關(guān)的SSPC組共享大規(guī)?刂菩酒,具有相當(dāng)大的工程實(shí)用價(jià)值,尤其適用于空間有限的場(chǎng)合,如飛機(jī)上。

    本文充分利用CPLD的特點(diǎn),設(shè)計(jì)了具有集成度高、速度快、抗干擾能力強(qiáng)和可靠性高等優(yōu)點(diǎn)的28V直流SSPC。在一塊電路板上集成多個(gè)SSPC,各個(gè)功率開(kāi)關(guān)問(wèn)相互獨(dú)立工作,進(jìn)一步提高了功率密度。


    1 功能定義


    28V直流SSPC應(yīng)該具有以下功能:


    (1) 接收上位機(jī)的控制信號(hào)。該控制信號(hào)能夠兼容TTL/CMOS電平,且高電平表示導(dǎo)通,低電平表示關(guān)斷;


    (2) 根據(jù)流過(guò)的SSPC的電流邏輯分析出自身的狀態(tài),并根據(jù)表1中的代碼表示上傳給上位機(jī);


    (3) SSPC能夠?qū)崟r(shí)診斷自身故障,并根據(jù)故障的嚴(yán)重程度不同,采取不同的保護(hù)措施。


    2 總體方案設(shè)計(jì)


    28V直流SSPC組的結(jié)構(gòu)如圖1所示。


   

   

    每路SSPC的取樣電阻上的電壓經(jīng)過(guò)調(diào)理電路和低通濾波以后,送到4通道的A/D轉(zhuǎn)換器的模擬輸入端,A/D轉(zhuǎn)換器的數(shù)據(jù)輸出端、狀態(tài)信號(hào)和控制信號(hào)分別接到CPLD的I/O引腳,便于程序控制A/D轉(zhuǎn)換器的動(dòng)作。CPLD另外的I/O口可以配置為MOSFET的動(dòng)作命令輸出口線、SSPC的狀態(tài)輸出口線和與上位機(jī)相連的控制命令輸入口線;CPLD自身提供的JTAG BST電路,可以方便地測(cè)試系統(tǒng)內(nèi)部測(cè)試器件之間的連接和檢驗(yàn)器件的操作。


    由CPLD組成的邏輯判斷電路的主要功能有:


    (1) 將A/D轉(zhuǎn)換得到的數(shù)據(jù)通過(guò)邏輯判斷,綜合出SSPC的工作狀態(tài)并向上位機(jī)輸出;


    (2) 接收上位機(jī)的控制命令,結(jié)合自身的工作狀態(tài),綜合得出SSPC的通斷信號(hào),控制MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷。


    3 硬件設(shè)計(jì)


    (1) 關(guān)鍵器件選型


    電力MOSFET選用IR公司的IRF540N,它的漏-源最大耐壓為IOOV,導(dǎo)通阻抗44mΩ,允許通過(guò)的最大電流33A。其最大優(yōu)點(diǎn)為納秒級(jí)的開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間,能夠完全滿足設(shè)計(jì)需要。


    邏輯控制芯片采用ALTERA公司的flex6000系列。該系列采用的OptiFLEX結(jié)構(gòu)增加了器件的有效面積,可用門(mén)的數(shù)目達(dá)8 000~24 000門(mén),觸發(fā)器豐富且基于LUT(查找表)結(jié)構(gòu),能夠滿足系統(tǒng)處理數(shù)據(jù)的需要。其待機(jī)狀態(tài)的電流小于1mA的低功耗模式,具有強(qiáng)功能的I/O引腳和靈活的內(nèi)部連接等優(yōu)點(diǎn),從而使其成為設(shè)計(jì)首選。


    (2) 硬件電路的組成


    ①電力MOSFET驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路[3]:采用專門(mén)的驅(qū)動(dòng)芯片TC4427,12V供電,如圖2所示。為了抑制電壓和電流的瞬變,MOSFET保護(hù)電路采用RCD吸收電路,用以減小器件的開(kāi)關(guān)損耗。


    

    ②取樣電路:利用取樣電阻(一般選用康銅絲),將流過(guò)負(fù)載的電流信號(hào)轉(zhuǎn)化成可測(cè)的電壓信號(hào),經(jīng)過(guò)隔離放大器、整流電路、濾波電路、采樣保持器和A/D轉(zhuǎn)換電路,將數(shù)字信號(hào)傳送到CPLD進(jìn)行邏輯分析。


    ③信號(hào)采集和調(diào)理電路:通過(guò)隔離放大器,將取樣電阻的電壓調(diào)節(jié)到A/D轉(zhuǎn)換器的允許范圍內(nèi),經(jīng)過(guò)R-C低通濾波器濾除噪聲信號(hào)后,送到A/D轉(zhuǎn)換器的輸入端。


    ④A/D轉(zhuǎn)換電路:采用12位的四通道A/D轉(zhuǎn)換器AD7864,與CPLD的接口主要有:a.?dāng)?shù)據(jù)輸出線:與CPLD的I/O口相連;b.控制線:轉(zhuǎn)換啟動(dòng)信號(hào)(CONVST)、片選信號(hào)(CS)、通道選擇信號(hào)(H/S SEL和SL1~SL4)以及讀寫(xiě)控制信號(hào)(RD/WR)等;c.狀態(tài)線:BUSY信號(hào)和轉(zhuǎn)換結(jié)束標(biāo)志(EOC)等。


    ⑤隔離電路:CPLD為3V I/O供電和2.5V內(nèi)核供電,因此采集的SSPC狀態(tài)信號(hào)和接收的電力MOSFET控制信號(hào)都需要經(jīng)過(guò)電平轉(zhuǎn)換及電氣隔離,但實(shí)際上要采用光耦隔離的方式進(jìn)行。因?yàn)镸OSFET的控制信號(hào)需要較大的驅(qū)動(dòng)電流,如果直接從CPLD輸出來(lái)驅(qū)動(dòng),會(huì)因CPLD電流太小而無(wú)法驅(qū)動(dòng),所以實(shí)際中采用六通道反相器74LF04來(lái)做光耦前一級(jí)的驅(qū)動(dòng);接收上位機(jī)輸出的控制信號(hào)是從光耦輸出來(lái)的,其電流一般不大(Ie<5mA),所以可以直接接在CPLD的I/O口上。


    4 軟件功能設(shè)計(jì)


    (1) 控制AD7864的動(dòng)作,從數(shù)據(jù)口讀出轉(zhuǎn)換的結(jié)果。


    運(yùn)用狀態(tài)機(jī)的設(shè)計(jì)方法,AD7864的動(dòng)作可大致分為3個(gè)步驟區(qū)間,每個(gè)步驟對(duì)應(yīng)一個(gè)狀態(tài),每個(gè)狀態(tài)賦予CPLD特定的功能。


    ①在步驟S0(CS=1、WR=1、RD=1)時(shí),A/D轉(zhuǎn)換之中;


    ②在步驟S1(CS=0、WR=1、RD=1)時(shí),監(jiān)控EOC信號(hào)是否由高電平變?yōu)榈碗娖?即A/D轉(zhuǎn)換是否結(jié)束;


    ③在步驟S2(CS=0、WR=1、RD=0)時(shí),從DB0~DB11讀取轉(zhuǎn)換的結(jié)果。


    軟件流程如圖3所示。


    

    (2) 對(duì)采集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。


    數(shù)據(jù)分析流程如圖4所示。


   

    ①當(dāng)電流在額定范圍內(nèi)時(shí),SSPC正常工作;


    ②當(dāng)電流大于額定電流,而小于額定電流的800%時(shí),SSPC進(jìn)入反時(shí)限保護(hù);


    ③當(dāng)電流大于額定電流的800%時(shí),SSPC立刻跳閘。


    下面介紹SSPC的反時(shí)限保護(hù)階段的算法推導(dǎo)。


    反時(shí)限保護(hù)曲線的通用表達(dá)式為:


    

    式中:t為以秒為單位的動(dòng)作時(shí)間;k為時(shí)間系數(shù)(整定值);I為測(cè)量的電流;Iopr為電流動(dòng)作定值。反時(shí)限保護(hù)曲線的陡度,由α、β共同決定。


    將上式化為kβ=「(I/Iopr)α-1」t,


    離散模型為: 


    

    采樣周期△t=20/N(ms)為常數(shù)(N為每周期內(nèi)采樣點(diǎn)數(shù)),M為使等式成立時(shí)累加的采樣周期數(shù);當(dāng)電流I大于反時(shí)限啟動(dòng)電流Iopr時(shí),即I/Iopr大于1時(shí),在每個(gè)采樣周期中斷中將此周期的「(I/Iopr)α-1 」累加,當(dāng)累加值大于kβ/△t時(shí),反時(shí)限累計(jì)延時(shí)到,保護(hù)跳閘。


    用VHDL語(yǔ)言實(shí)現(xiàn)的反時(shí)限保護(hù)算法流程如圖5所示。


     

    (3) SSPC將內(nèi)部采集到的電流信號(hào)、接收到的控制命令和內(nèi)部狀態(tài)(包括系統(tǒng)啟動(dòng)的狀態(tài)、電流在不同的范圍內(nèi)變化、跳閘的條件和從跳閘恢復(fù)到正常的條件以及故障切除和未切除時(shí)的系統(tǒng)啟動(dòng)等)經(jīng)過(guò)邏輯判斷后,綜合出MOSFET的導(dǎo)通/關(guān)斷指令,作為驅(qū)動(dòng)電路的輸入信號(hào)。


    軟件流程如圖6所示。 


     

    5 試驗(yàn)結(jié)果


    該仿真是在ALTERA系列CPLD的開(kāi)發(fā)環(huán)境MAX+PLUS II上進(jìn)行的。當(dāng)在不同的電流值下采集到的四路SSPC負(fù)載電流為不同值時(shí),SSPC的工作情況也不一樣。


    (1) 當(dāng)I/Iopr<l時(shí),SSPC正常導(dǎo)通;當(dāng)I/Iopr>8時(shí),SSPC立即跳閘。


    (2) 當(dāng)I/Iopr為1.2(SSPC_1)、2(SSPC_2)、由1.2增加到2(SSPC_3)和5(SSPC_4)時(shí),SSPC的跳閘時(shí)間分別為402ms、161ms、223ms和26ms。


    各個(gè)臨界點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)所得數(shù)據(jù)經(jīng)過(guò)曲線擬和,得到如圖7所示結(jié)果。


     

    試驗(yàn)結(jié)果表明,利用CPLD進(jìn)行SSPC的開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì),其延遲時(shí)間完全可以通過(guò)編程控制,且各路SSPC之間干擾較少。


    CPLD內(nèi)部的硬件結(jié)構(gòu)決定了系統(tǒng)良好的抗干擾性和高可靠性,非常適合于電力系統(tǒng)方面的控制。因此,采用CPLD應(yīng)是一個(gè)研究方向。

[1]



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