ORNAND架構由市場份額領先的Spansion公司提出,針對3G手機,將NOR的質量,快速隨機讀取速度與NAND的大容量和成本優(yōu)勢巧妙結合,容量在3～8Gb之間,計劃2005年推出1.8V、512Mb的產品,以及提供采用1.25Gb閃存的多配置MCP樣品,2007年提供一個全面的、容量高達8Gb的ORNAND架構產品系系列,并會根據(jù)顧客要求,采用MCP技術,將SRAM、PSRAM與閃存封裝在一起供貨。Spansion在全球現(xiàn)有4家封裝測試工廠,其中投資數(shù)億美元,建于蘇州的工廠是該公司規(guī)模最大、技術最先進的封裝測試廠,公司的MCP設計中心就設立在蘇州工廠。One NAND在NAND基礎上融入NOR特性,集成有緩存和邏輯接口,可提供高達108MB/s的數(shù)據(jù)傳輸速度,三星電子率先采用90nm工藝開發(fā)出1Gb容量One NAND手機閃存,并研發(fā)成功8芯片MCP技術,在最小化整體芯片厚度的同時,減少堆棧芯片之間空隙,在1.4mm封裝高度內容量達3.2Gb。英特爾對MCP最身體力行,將NOR閃存、lp－SDRAM與微處理器堆疊封裝在一起,相比單芯片封裝的體積縮小72％,在上海、成都各建有封裝測試工廠。意法半導體ST公司可同時提供多種存儲芯片,開發(fā)新的MCP技術,在相同厚度的封裝中,疊裝更多的芯片,面向手機市場,推出基于NAND和NOR的MCP存儲器系統(tǒng),大頁面（同步接口）NAND使MCP容量大增,可由256Mb、512Mb或1Gb的NAND與256Mb或512Mb的LP－SDRAM組成MCP,與現(xiàn)代半導體在國內建合資企業(yè),投資封裝測試技術。瑞薩的高端產品以NOR閃存為基礎的MCP,用NOR＋LP－SDRAM類型,迎合市場需求。NOR閃存廠商推崇NOR與SRAM或PSRAM相結合的MCP,NAND閃存廠家則提倡NAND與LP－SDRAM或移動DRAM相結合的MCP,兩大陣營中的16家主要供應商現(xiàn)已推出獨具優(yōu)勢的產品。
SRAM市場,排名最前位的賽普拉斯半導體公司可提供除閃存外的所有類別SRAM,在國內有封裝測試合作伙伴,90％以上的低功耗SRAM都是向英特爾、ST等閃存廠家提供芯片MCP。PSRAM是在SRAM基礎上發(fā)展起來的,面對其技術潛在的巨大商機,現(xiàn)已形成歐美、日本、韓國三大陣營競爭態(tài)勢,賽普拉斯、英飛凌、美光和瑞薩組成Cellular RAM聯(lián)盟,東芝、日本電氣、富士通等日本廠家組成COSMORAM聯(lián)盟,韓國三星和現(xiàn)代組成UtRAM聯(lián)盟,三足鼎立各有產品推出。LP－SDRAM、LP－DDR有更高的帶寬和容量,易于NAND閃存實現(xiàn)更高速的接口,但功耗也更大。究竟哪類產品會成為手機存儲器主流的技術尚有很多無法預測的因素,今后的結局有可能會是一次嚴重的供應鏈混亂。
MCP出現(xiàn)多元化發(fā)展趨勢,適用其他類產品。例如,砷化鎵射頻混頻器/硅基驅動器件構成模擬放大器,帶有一個或多個外部高速緩存的微處理器,微處理器或數(shù)字信號處理器與各種存儲器構成的多媒體處理器,會有越來越多的廠家采用MCP。
5 結束語
3G時代日益逼近,芯片發(fā)展與應用需求雙向驅動,封裝技術優(yōu)勢互補,催生了MCP技術及產品,將多重芯片置入單一結構封裝內的產品尚不多,并非是技術限制所至,而是商業(yè)目的阻礙。隨著便攜式電子整機的功能增加,MCP將會更完善,品種系列更豐富,作用更重要。
