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問： 和其它非易失性存儲器制造技術(shù)相比,鐵電存儲器在性能方面有什么不同嗎? 答： 鐵電存儲器在性能方面與EEPRON和Flash相比有三點(diǎn)優(yōu)勢之處: 首先,鐵電存儲器的讀寫速度更快。與其它存儲器相比，鐵電存儲器的寫入速度要快10萬次以上。讀的速度同樣也很快，和寫操作在速度上幾乎沒有太大的區(qū)別。其次，F(xiàn)RAM存儲器可以無限次擦寫，而EEPROM則只能進(jìn)行100萬次的擦寫。最后，鐵電存儲器所需功耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于其他非易失性存儲器。
問： 和其它存儲器相比鐵電存儲器有什么不同嗎？ 答： 如果要回答這個問題的話，簡單了解一下存儲器技術(shù)的背景資料很有必要。存儲器的生產(chǎn)技術(shù)可以分為兩類：易失性和非易失性。易失性存儲器在斷電后存儲的數(shù)據(jù)會丟失，而非易失性存儲器則不然。傳統(tǒng)的易失性存儲器包括SRAM （靜態(tài)隨機(jī)存儲器）和DRAM(動態(tài)隨機(jī)存儲器）。他們都源自RAM技術(shù)-隨機(jī)存取存儲器技術(shù)。RAM的主要優(yōu)點(diǎn)是容易使用且讀寫操作類似。但是傳統(tǒng)RAM的主要缺點(diǎn)是其只能被用來做暫時性的存儲。傳統(tǒng)的非易性存儲器技術(shù)均源自ROM技術(shù)，即只讀存儲器技術(shù)。經(jīng)過各種技術(shù)的改進(jìn)，工程師們創(chuàng)造出Flash和EEPROM存儲器，這些改進(jìn)的存儲器開始能夠進(jìn)行寫入操作了。但是這種基于ROM技術(shù)生產(chǎn)的存儲器都有不易寫入、寫入需要特大功耗等缺點(diǎn)。所以傳統(tǒng)的基于ROM技術(shù)制造的存儲器是不適應(yīng)需要多次寫入操作的應(yīng)用領(lǐng)域的。而鐵電存儲器(FRAM)則是第一個非易失性的RAM存儲器。它結(jié)合了SRAM和DRAM易寫入的特性，又具有Flash和EEPROM得非易失性的特點(diǎn)。
問： 鐵電存儲器自投產(chǎn)至今有多久？前景如何？ 答： Ramtron公司在1992年下半年開始生產(chǎn)供銷售的鐵電存儲器。從那時起，鐵電存儲器開始持續(xù)生產(chǎn)，生產(chǎn)規(guī)模也在近年迅速擴(kuò)大。不斷有新的制造合作商開始獲得生產(chǎn)鐵電存儲器的授權(quán)許可，在不遠(yuǎn)的將來，在市場上將會出現(xiàn)更多、更高性能的鐵電存儲器。
問： 鐵電存儲器怎樣與其它高性能的非易失性存儲器，諸如MRAM來競爭？ 答： 兩者最大的區(qū)別就是產(chǎn)品技術(shù)和市場是否成熟。鐵電存儲器是從實(shí)驗(yàn)室研發(fā)階段一步步發(fā)展到擁有巨大客戶群的生產(chǎn)銷售階段的。而 MRAM和其他比較高級的存儲器雖然承諾的條件和技術(shù)很好，但是在實(shí)際應(yīng)用層面還面臨著許多障礙，很難達(dá)到目前鐵電存儲器的水平，并且鐵電存儲器的技術(shù)還在不斷的更新和改進(jìn)。所以事實(shí)上我們不能將還處于實(shí)驗(yàn)室開發(fā)階段的存儲器產(chǎn)品與技術(shù)已經(jīng)成熟并大量生產(chǎn)銷售的鐵電存儲器相比較。
問： Ramtron的短期和長期市場戰(zhàn)略是什么樣的？ 答： Ramtron一向積極的將鐵電技術(shù)授權(quán)給一些主要的半導(dǎo)體公司，大力推廣鐵電技術(shù)，使其成為主流地位的存儲器。此外，不管是現(xiàn)在還是將來，即便有更大更多的公司投身于鐵電領(lǐng)域,Ramtron都會一直努力開發(fā)鐵電產(chǎn)品技術(shù)和銷售，使其繁盛發(fā)展�，F(xiàn)在，我們正在建設(shè)以當(dāng)前技術(shù)為模型的高產(chǎn)量的生產(chǎn)線，特別著重開發(fā)數(shù)據(jù)收集應(yīng)用方面。長期而言，Ramtron將會把重點(diǎn)放在開發(fā)鐵電高附加值和創(chuàng)新應(yīng)用上，同時在更廣闊的商品市場獲取客戶良好的信任和支持。此外，第三方的生產(chǎn)廠將會參與產(chǎn)品商討、并將會給公司帶來更多的產(chǎn)品生產(chǎn)選擇。
問： 誰是Ramtron的戰(zhàn)略合作伙伴？ 答： Ramtron已與諸如德州儀器公司、Rohm、富士通、東芝、三星、日立及Asahi Chemical這些大公司建立起了戰(zhàn)略性的授權(quán)生產(chǎn)鐵電存儲器的合作協(xié)議。目前，富士通公司已經(jīng)開始生產(chǎn)。最近，我們已經(jīng)完成與富士通合作生產(chǎn)0.35微米的鐵電存儲器，并授權(quán)Infineon生產(chǎn)鐵電存儲器。據(jù)消息聲稱，Infineon即將與東芝公司進(jìn)行合作。Ramtron將會繼續(xù)與世界范圍內(nèi)其它大公司聯(lián)系洽談，以尋求更多的潛在授權(quán)和合作的機(jī)會。
問： 該項(xiàng)鐵電技術(shù)的發(fā)展歷史是怎樣的？ 答： Ramtron成立于1984年并從那時起開始發(fā)展鐵電技術(shù)。在第一階段把重點(diǎn)放在材料科學(xué)上－即該采用什么樣的材料、怎樣去轉(zhuǎn)儲等等。在1992年建成晶元生產(chǎn)線后，才開始開發(fā)出一個產(chǎn)品。值得一提的是，我們花了8年時間（1984－1992）才弄清了了基本的技術(shù)原理。Ramtron事實(shí)上在1993年就已經(jīng)推出了一個4Kb的鐵電存儲器,而這是第一個用于商業(yè)銷售的存儲器產(chǎn)品。1993到1997年間, Ramtron開始運(yùn)作自己的晶元生產(chǎn)線，這也是當(dāng)時世界上僅有的能生產(chǎn)出鐵電存儲器的晶元生產(chǎn)線。這里有一臺儀器設(shè)備能夠控制設(shè)計(jì)出1微米的芯片制程。當(dāng)時能生產(chǎn)的存儲器最大容量為64kb。終于在1995年Ramtron開始鐵電存儲器的技術(shù)授權(quán)。 1995年到1997年間，我們著重于技術(shù)授權(quán)，而在技術(shù)提高升級方面則少一些。在那段時期，我們事實(shí)上在推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步方面沒有取得什么很重大的進(jìn)步。我們的第一個合作伙伴(Rohm)在1998年開始投入鐵電存儲器的生產(chǎn)，開發(fā)出我們的1微米制程。至此,我們的產(chǎn)品在產(chǎn)量和信任度上取得了實(shí)質(zhì)性的增長，但是還沒有達(dá)到最大的程度。我們第二個合作伙伴（富士通）在1999年開始生產(chǎn)鐵電存儲器。他們?nèi)〉昧酥卮蟮倪M(jìn)展，已經(jīng)開始了0.5微米的制程生產(chǎn)。這項(xiàng)進(jìn)展使得我們現(xiàn)在生產(chǎn)256Kb容量的存儲器成為可能。直到這個時候，我們才把重點(diǎn)放在提高技術(shù)的穩(wěn)定可靠性和制造工藝上，并且現(xiàn)在在這兩個方面已經(jīng)取得了成效。 本文來源：Ramtron 作者：Ramtron |
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