基于MEMS技術(shù)的VOA是EVOA的主要解決方案之一，具有體積小、功耗低的優(yōu)勢。MEMS VOA通過靜電或者電磁力驅(qū)動一個扭轉(zhuǎn)反射鏡，使入射光束偏轉(zhuǎn)來實現(xiàn)衰減，如圖1所示，通常以一個雙光纖準直器與MEMS芯片進行耦合，實現(xiàn)緊湊的封裝結(jié)構(gòu)，如圖2和圖3所示。
圖1. MEMS VOA原理和結(jié)構(gòu)
圖2. MEMS VOA封裝結(jié)構(gòu)一
圖3. MEMS VOA封裝結(jié)構(gòu)二
MEMS VOA設計中的關(guān)鍵問題之一是可靠性，支撐反射鏡的扭轉(zhuǎn)梁應具有適當?shù)膹椥韵禂?shù)，以保證能在適當?shù)尿?qū)動電壓（靜電驅(qū)動）或者驅(qū)動電流（電磁驅(qū)動）下偏轉(zhuǎn)足夠的角度，同時必須有足夠的強度以抗擊震動。而且，扭鏡結(jié)構(gòu)的共振頻率設計，應遠離日常環(huán)境中的振動頻率以避免共振損害，一般設計在千赫茲以上。
MEMS VOA設計中的關(guān)鍵問題之二是波長相關(guān)性（WDL），雙光纖準直器通過反射鏡的耦合，相當于兩個準直器之間在角度失配情況下的耦合，其WDL隨失配角度增大而劣化。一個未進行WDL優(yōu)化設計的MEMS VOA，當中心波長衰減25dB時，在40nm帶寬內(nèi)的WDL達1.8dB，如圖4所示。為了便于對WDL進行優(yōu)化設計，一般采用C-Lens制作雙光纖準直器，比GRIN-Lens具有更好的設計靈活性，經(jīng)過優(yōu)化設計的MEMS VOA，在40dB衰減范圍內(nèi)的WDL，可以達到0.4dB以下。當然，MEMS VOA也有單通道應用情況，對WDL就沒有那么高的要求了。
圖4. 未優(yōu)化的WDL指標
目前，國內(nèi)具有MEMS VOA芯片供貨能力的有海寧華平光電、廣州永大通信和廣州銀訊光電三家公司，前者的技術(shù)來自一位海歸博士，后兩者的技術(shù)來自北美華人，而投資方均為國內(nèi)企業(yè)。國內(nèi)比較完整的MEMS工藝線有兩條，分別屬于中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所和北京大學微電子中心，海寧華平光電就是在這些國內(nèi)工藝線進行流片，推出完全國產(chǎn)化的MEMS VOA系列產(chǎn)品。
前述三家公司，均有MEMS VOA封裝能力，而國內(nèi)一些其他公司，在其模塊或者子系統(tǒng)中有大量的MEMS VOA需求，或者直接購買封裝好的器件，但是為了提升利潤空間，均傾向于購買MEMS芯片來自行封裝，如武漢光訊科技、福州高意科技等公司。
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