西門子S7-200PLC的V區(qū)屬于RAM區(qū)還是EEPROM區(qū)
如果屬于RAM區(qū),那么是否可把V區(qū)的數(shù)據(jù)拷貝到EEPROM中?
答:西門子S7-200PLC系統(tǒng)中用到了三種存儲器件:
RAM: 易失性的存儲器,失去電源供應后,其中保存的數(shù)據(jù)會丟失。S7-200 CPU中的RAM由超級電容+外插電池卡提供電源緩沖。RAM保存V、M、T(定時器)、C(計數(shù)器)等各數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)容,在CPU失電后的表現(xiàn)由用戶在系統(tǒng)塊“數(shù)據(jù)保持”頁中設(shè)置
EEPROM:非易失的電可擦除存儲器,保存數(shù)據(jù)不需要供電,并且可以改寫其內(nèi)容。上述RAM數(shù)據(jù)區(qū)中有的部分與EEPROM中的區(qū)域一一對應。用戶程序也永久保存在程序EEPROM區(qū)中
外插存儲卡:非易失的存儲器。用來保存用戶程序、數(shù)據(jù)記錄(歸檔)、配方數(shù)據(jù),以及一些其他文件等
RAM區(qū)的數(shù)據(jù)保持靠“內(nèi)置超級電容+外插電池卡”的機制。
在CPU內(nèi)部靠一個超級電容,在掉電后為RAM存儲器提供電源緩沖,保存時間可達幾天之久,具體時間見表1、表2。CPU上電時,超級電容就可以充電。要獲得規(guī)格表中的數(shù)據(jù)保持時間,電容必須連續(xù)充電24小時。
S7-200還可選用外插電池卡(需單獨定貨),在超級電容耗盡后為RAM數(shù)據(jù)區(qū)提供電源緩沖。在連續(xù)無供電時,它可使用200天(即保持數(shù)據(jù)達200天)。CPU在不斷電的情況下專用電池卡能夠使用10年。電池卡是不可充電的。
CPU內(nèi)置的EEPROM存儲器用于永久保存數(shù)據(jù),包括與RAM數(shù)據(jù)區(qū)一一對應的全部的V存儲區(qū)、部分M存儲區(qū)(MB0 - MB13)、定時器(TONR)。
例如V存儲區(qū)的VW100(RAM)在EEPROM中有其獨占的對應地址,數(shù)據(jù)在從EERPOM中寫到V存儲區(qū)中時,其目標地址就是VW100。
數(shù)據(jù)可以用如下方式寫入EEPROM數(shù)據(jù)區(qū):
在編程軟件Micro/WIN的Data Block(數(shù)據(jù)塊)中定義V數(shù)據(jù)區(qū)存儲單元的初始值,下載數(shù)據(jù)塊時,這些數(shù)值也被寫入到相應的EEPROM單元中。
用特殊存儲器SMB31、SMW32,用編程方法將V存儲區(qū)的數(shù)據(jù)寫入EEPROM
在System Block(系統(tǒng)塊)中設(shè)置數(shù)據(jù)保持功能,可將MB0 - MB13的內(nèi)容在CPU斷電時自動寫入到EEPROM中。
答:西門子S7-200PLC系統(tǒng)中用到了三種存儲器件:
RAM: 易失性的存儲器,失去電源供應后,其中保存的數(shù)據(jù)會丟失。S7-200 CPU中的RAM由超級電容+外插電池卡提供電源緩沖。RAM保存V、M、T(定時器)、C(計數(shù)器)等各數(shù)據(jù)區(qū)的內(nèi)容,在CPU失電后的表現(xiàn)由用戶在系統(tǒng)塊“數(shù)據(jù)保持”頁中設(shè)置
EEPROM:非易失的電可擦除存儲器,保存數(shù)據(jù)不需要供電,并且可以改寫其內(nèi)容。上述RAM數(shù)據(jù)區(qū)中有的部分與EEPROM中的區(qū)域一一對應。用戶程序也永久保存在程序EEPROM區(qū)中
外插存儲卡:非易失的存儲器。用來保存用戶程序、數(shù)據(jù)記錄(歸檔)、配方數(shù)據(jù),以及一些其他文件等
RAM區(qū)的數(shù)據(jù)保持靠“內(nèi)置超級電容+外插電池卡”的機制。
在CPU內(nèi)部靠一個超級電容,在掉電后為RAM存儲器提供電源緩沖,保存時間可達幾天之久,具體時間見表1、表2。CPU上電時,超級電容就可以充電。要獲得規(guī)格表中的數(shù)據(jù)保持時間,電容必須連續(xù)充電24小時。
S7-200還可選用外插電池卡(需單獨定貨),在超級電容耗盡后為RAM數(shù)據(jù)區(qū)提供電源緩沖。在連續(xù)無供電時,它可使用200天(即保持數(shù)據(jù)達200天)。CPU在不斷電的情況下專用電池卡能夠使用10年。電池卡是不可充電的。
CPU內(nèi)置的EEPROM存儲器用于永久保存數(shù)據(jù),包括與RAM數(shù)據(jù)區(qū)一一對應的全部的V存儲區(qū)、部分M存儲區(qū)(MB0 - MB13)、定時器(TONR)。
例如V存儲區(qū)的VW100(RAM)在EEPROM中有其獨占的對應地址,數(shù)據(jù)在從EERPOM中寫到V存儲區(qū)中時,其目標地址就是VW100。
數(shù)據(jù)可以用如下方式寫入EEPROM數(shù)據(jù)區(qū):
在編程軟件Micro/WIN的Data Block(數(shù)據(jù)塊)中定義V數(shù)據(jù)區(qū)存儲單元的初始值,下載數(shù)據(jù)塊時,這些數(shù)值也被寫入到相應的EEPROM單元中。
用特殊存儲器SMB31、SMW32,用編程方法將V存儲區(qū)的數(shù)據(jù)寫入EEPROM
在System Block(系統(tǒng)塊)中設(shè)置數(shù)據(jù)保持功能,可將MB0 - MB13的內(nèi)容在CPU斷電時自動寫入到EEPROM中。
本文標簽:西門子S7-200PLC的V區(qū)屬于RAM區(qū)還是EEPROM區(qū)
* 由于無法獲得聯(lián)系方式等原因,本網(wǎng)使用的文字及圖片的作品報酬未能及時支付,在此深表歉意,請《西門子S7-200PLC的V區(qū)屬于RAM區(qū)還是EEPROM區(qū)》相關(guān)權(quán)利人與機電之家網(wǎng)取得聯(lián)系。
關(guān)于“西門子S7-200PLC的V區(qū)屬于RAM區(qū)還是EEPROM區(qū)”的更多資訊










