產(chǎn)品詳情
LPCVD低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備（科研型LPCVD）是在低壓高溫的條件下，通過化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科學(xué)研究、實(shí)踐教學(xué)、小型器件制造。
設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)
1、小型化，方便實(shí)驗(yàn)室操作和使用，大幅降低實(shí)驗(yàn)成本
兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。
基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。
基片形狀類型：不規(guī)則形狀的散片、φ2～4英寸標(biāo)準(zhǔn)基片。
2、設(shè)備為水平管臥式結(jié)構(gòu)
由石英管反應(yīng)室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。
反應(yīng)室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設(shè)備電控部分采用了先進(jìn)的檢測和控制系統(tǒng)，量值準(zhǔn)確，性能穩(wěn)定、可靠。
3、系統(tǒng)提供自動控制無揚(yáng)塵裝置
LPCVD設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)
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類型 |
參數(shù) |
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成膜類型 |
Si3N4、Poly-Si、SiO2等 |
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zui*gao溫度 |
1200℃ |
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恒溫區(qū)長度 |
根據(jù)用戶需要配置 |
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恒溫區(qū)控溫精度 |
≤±0.5℃ |
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工作壓強(qiáng)范圍 |
13～1330Pa |
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膜層不均勻性 |
≤±5％ |
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基片每次裝載數(shù)量 |
標(biāo)準(zhǔn)基片：1～3片；不規(guī)則尺寸散片:若干 |
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壓力控制 |
閉環(huán)充氣式控制 |
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裝片方式 |
手動進(jìn)出樣品 |
設(shè)備功能
該設(shè)備是在低壓高溫的條件下，通過化學(xué)反應(yīng)氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。
可提供相關(guān)鍍膜工藝。
設(shè)備結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)：
設(shè)備為水平管臥式結(jié)構(gòu)，由石英管反應(yīng)室、隔熱罩爐體柜、電氣控制系統(tǒng)、真空系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)、壓力控制系統(tǒng)及氣瓶柜等系統(tǒng)組成。
反應(yīng)室由高純石英制成，耐腐蝕、抗污染、漏率小、適合于高溫使用; 設(shè)備電控部分采用了先進(jìn)的檢測和控制系統(tǒng)，量值準(zhǔn)確，性能穩(wěn)定、可靠。
整個工藝過程由計算機(jī)對全部工藝流程進(jìn)行管理，實(shí)現(xiàn)爐溫、氣體流量、壓力、閥門動作、泵的啟閉等工藝參數(shù)進(jìn)行監(jiān)測和自動控制。也可以手動控制。
設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)
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類型 |
參數(shù) |
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成膜類型 |
Si3N4、Poly-Si、SiO2等 |
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zui*gao溫度 |
1200℃ |
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恒溫區(qū)長度 |
根據(jù)用戶需要配置 |
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恒溫區(qū)控溫精度 |
≤±0.5℃ |
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工作壓強(qiáng)范圍 |
13～1330Pa |
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膜層不均勻性 |
≤±5％ |
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基片每次裝載數(shù)量 |
100片 |
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設(shè)備總功率 |
16kW |
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冷卻水用量 |
2m3/h |
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壓力控制 |
閉環(huán)充氣式控制 |
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裝片方式 |
懸臂舟自動送樣 |
LPCVD手動運(yùn)行界面
LPCVD實(shí)時運(yùn)行監(jiān)控界面
LPCVD自動運(yùn)行界面
LPCVD工藝編制界面
關(guān)于我們
鵬城微納技術(shù)（沈陽）有限公司，由哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳）與有多年實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的工程師團(tuán)隊(duì)共同發(fā)起創(chuàng)建。公司立足于技術(shù)前沿、市場前沿和產(chǎn)業(yè)前沿的交叉點(diǎn)，尋求創(chuàng)新yin*ling與可持續(xù)發(fā)展，解決產(chǎn)業(yè)的痛點(diǎn)和國產(chǎn)化難題，爭取產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。
鵬城微納技術(shù)（沈陽）有限公司是鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司全資子公司，是半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體工藝和裝備的設(shè)計中心和生產(chǎn)制造基地。
公司核心業(yè)務(wù)是微納技術(shù)與gao*duan精密制造，具體應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體材料、工藝、裝備的研發(fā)設(shè)計、生產(chǎn)制造、工藝技術(shù)服務(wù)及裝備的升級改造，可為用戶提供工藝研發(fā)和打樣，可為生產(chǎn)企業(yè)提供生產(chǎn)型設(shè)備，可為科學(xué)研究提供科研設(shè)備。
公司人才團(tuán)隊(duì)知識結(jié)構(gòu)完整，有工程師哈工大教授和博士，為核心的高水平材料研究和工藝研究團(tuán)隊(duì)，還有來自工業(yè)界的高級裝備設(shè)計師團(tuán)隊(duì)，他們具有30多年的半導(dǎo)體材料研究、外延技術(shù)研究和半導(dǎo)體薄膜制備成套裝備設(shè)計、生產(chǎn)制造的經(jīng)驗(yàn)。
公司依托于哈爾濱工業(yè)大學(xué)（深圳），具備xian*jin的半導(dǎo)體研發(fā)設(shè)備平臺和檢測設(shè)備平臺，可以在高起點(diǎn)開展科研工作。公司總部位于深圳市，具備半導(dǎo)體和泛半導(dǎo)體裝備的研發(fā)、生產(chǎn)、調(diào)試以及器件的中試、生產(chǎn)、銷售的能力。
公司團(tuán)隊(duì)技術(shù)儲備及創(chuàng)新能力
1998~2002
-設(shè)計了中試型的全自動化監(jiān)控的MOCVD，用于外延硅基GaN
-設(shè)計制造了聚氨酯薄膜的卷繞式鍍膜機(jī)
2005
-設(shè)計制造了中國di*yi臺wan*quan自主知識產(chǎn)權(quán)的MBE(分子束外延設(shè)備)，用于外延光電半導(dǎo)體材料
2007
-設(shè)計超高溫CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生長
-設(shè)計制造了光學(xué)級金剛石生長設(shè)備（采用熱激發(fā)技術(shù)和CVD技術(shù)）
2015
-設(shè)計制造了金剛石涂層制備設(shè)備，制備了金剛石電極、微米晶和納米晶金剛石薄膜、導(dǎo)電金剛石薄膜
2017
-優(yōu)化Rheed設(shè)計，開始生產(chǎn)型MBE設(shè)計
-開始研發(fā)PSD方法外延GaN的工藝和裝備
2019
-設(shè)計制造了大型熱絲CVD金剛石薄膜的生產(chǎn)設(shè)備
2021
-鵬城半導(dǎo)體技術(shù)（深圳）有限公司成立
2022
-子公司鵬城微納成立；
-熱絲CVD設(shè)備、高真空磁控濺射儀、電子束蒸鍍機(jī)、分子束外延與磁控濺射聯(lián)用設(shè)備多套出貨
-獲得ISO9001質(zhì)量管理體系證書
2023
-PSD方法外延GaN裝備與工藝的技術(shù)攻關(guān)；
-科技型中小企業(yè)-入庫編號202344030500018573；
-創(chuàng)新型中小企業(yè)；
-獲50+項(xiàng)知識產(chǎn)權(quán)zhuan*li；
-企業(yè)信用評價3A*信用企業(yè)；/ISO三體系認(rèn)證；
-子公司晶源半導(dǎo)體成立
2024~2026
-與jun*gong和上市頭部企業(yè)合作取得突破（X 光感受板及光電器件的薄膜生長等）
-鵬城微納子公司擴(kuò)產(chǎn)
-TGV/TSV/TMV
-微光探測、醫(yī)療影像、復(fù)合硬質(zhì)涂層
-gao*xin*ji*shu企業(yè)
13-6-3-2-7-5-0-0-1-7
