據(jù)報道，東芝集團就存儲器業(yè)務(wù)出售事宜已與西部數(shù)據(jù)在內(nèi)的聯(lián)盟達成協(xié)議，雙方將于月底簽約，沸沸揚揚了大半年的出售案終于塵埃落定。今年以來，東芝存儲器延期供貨及美光臺灣晶圓廠液氮泄露等一系列事件，導致了存儲器市場缺貨不斷一片“漲”勢。

　　缺貨之勢來勢洶洶

　　2017年第二季度半導體行業(yè)各大廠商財報已先后出爐，其中三星電子營收為554.1億美元位居第一，同比增長率為19%。對此三星表示，第二季度營收主要來源于市場對DRAM和SSD存儲芯片的需求。SK海力士營收同比增長74.3%，穩(wěn)居增長率第一，公司也表示DRAM芯片正是“始作俑者”。

　　四年前，一把火燒掉了SK海力士無錫工廠，造成PC DRAM、內(nèi)存、SSD以及整條產(chǎn)業(yè)鏈漲價，那次大火影響了整個市場三年之久。如今三年已去，市場還未完全恢復，美光氮氣泄漏事件的發(fā)生或令存儲器市場雪上加霜。

　　7月6日，臺灣地區(qū)美光晶圓科技工廠因氮氣系統(tǒng)發(fā)生意外，造成超過半數(shù)以上晶圓報廢，估計報廢大約在6萬片左右。事后，經(jīng)美光調(diào)查澄清，廠內(nèi)確實出現(xiàn)氮氣系統(tǒng)問題，但已解決。對此，有觀點稱該事件將影響全球DRAM市場5.5%的份額，同時市場也將隨之急劇變化。

　　此外，東芝之事也加速了缺貨之勢，由于東芝存儲器一直尋找合作商，導致旗下產(chǎn)品也處于延期供貨狀態(tài)。

　　據(jù)業(yè)者預測，美光受損產(chǎn)線恢復生產(chǎn)將需要三個月時間，而東芝存儲器恢復正常供貨狀態(tài)也需要交易完成之后，所以未來半年存儲器市場仍會處于缺貨狀態(tài)。

　　產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)不穩(wěn)

　　存儲器作為智能手機，電腦，智能手表等終端產(chǎn)品必不可少的元器件之一，它的缺貨將會導致整個產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)失衡，終端產(chǎn)品也將面臨著無貨可用的尷尬。加之下半年又是終端產(chǎn)品上市的高峰期，對于核心元器件的需求將會更加凸顯。可以預見的到，具有話語權(quán)的行業(yè)代表企業(yè)將首先獲得產(chǎn)能配額，小品牌可能面臨產(chǎn)品延期的窘境。

　　據(jù)業(yè)者預測，此次存儲器市場“漲”勢將持續(xù)至2019年，未來一兩年內(nèi)勢必有部分廠商順勢而起，加大對存儲器產(chǎn)品的投產(chǎn)，市場也會逐漸隨之恢復常態(tài)。

　　中國產(chǎn)能即將釋放

　　全球存儲器市場風云變幻，中國作為終端產(chǎn)品消費大國，自然也免不了遭受影響。為此，國內(nèi)存儲器相關(guān)企業(yè)動作頻頻，在外部供應(yīng)不足的情況下，積極加大投資或釋放產(chǎn)能，以期填補供應(yīng)鏈缺口，進一步擴大市場份額。

　　前不久，紫光宣布投資300億美元在南京建設(shè)半導體產(chǎn)業(yè)基地，主要生產(chǎn)NAND FLASH、DRAM存儲芯片等。據(jù)了解，這個工廠建成后將是迄今為止中國規(guī)模最大的芯片制造廠，預計月產(chǎn)能將達10萬片。

　　今年年初，中芯國際正式出樣40nm工藝的ReRAM（非易失性阻變式存儲器）芯片，此類芯片密度比DRAM內(nèi)存高40倍，讀取速度快100倍，寫入速度快1000倍，且性能遠遠優(yōu)于DRAM。由此可見，中芯國際對于存儲器市場早已勢在必得。

　　與此同時，長江存儲、福建晉華、合肥長鑫等企業(yè)也不甘示弱，紛紛緊鑼密鼓地建設(shè)存儲器芯片廠，預計最快的明年便能投產(chǎn)。

　　作為消費電子產(chǎn)業(yè)核心元器件，存儲芯片受制于人并不是長久之計。市場上，存儲器產(chǎn)品的供不應(yīng)求也為國產(chǎn)化提供了契機，企業(yè)應(yīng)該抓住機遇實現(xiàn)自主化生產(chǎn)，從而擺脫進口的依賴，提升競爭實力。