12月6日至9日美國(guó)加利福尼亞州的IEEE半導(dǎo)體接口專家會(huì)議(SISC2017)上，日本富士通公司及其子公司富士通實(shí)驗(yàn)室公司(Fujitsu Laboratories Ltd)介紹了據(jù)稱是第一個(gè)室溫下實(shí)現(xiàn)單晶金剛石和碳化硅(SiC)襯底焊接，關(guān)鍵是這兩者都是硬質(zhì)材料，但具有不同的熱膨脹系數(shù)。

　　使用這種技術(shù)散熱可以高效率地冷卻高功率氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)，從而使功率放大器在高功率水平下穩(wěn)定工作。

　　傳統(tǒng)GaN HEMT——SiC襯底散熱

　　近年來，高頻GaN-HEMT功率放大器已被廣泛用于雷達(dá)和無線通信等遠(yuǎn)程無線電領(lǐng)域，預(yù)計(jì)還將用于天氣雷達(dá)觀測(cè)局部暴雨，或者即將出現(xiàn)的5G毫米波段移動(dòng)通信協(xié)議。對(duì)于這些使用微波到毫米波頻段雷達(dá)或無線通信系統(tǒng)，通過提高用于傳輸?shù)腉aN-HEMT功率放大器的輸出功率，無線電波能夠傳播的距離將增大，可擴(kuò)展雷達(dá)觀測(cè)范圍，實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)和更高容量的通信。

　　圖1中，GaN HEMT功率放大器的一些輸入功率會(huì)轉(zhuǎn)化成熱量，然后分散到SiC沉底。由于提高雷達(dá)和無線通信的射程和功率也增加了器件產(chǎn)生的熱量，這對(duì)其性能和可靠性產(chǎn)生不利影響，因此需要將器件熱量有效地傳輸?shù)嚼鋮s結(jié)構(gòu)(散熱片)。

　　金剛石-SiC散熱

　　盡管SiC襯底具有相對(duì)較高的導(dǎo)熱率，但是對(duì)于具有越來越高的功率輸出的器件而言，需要具有更好的導(dǎo)熱率的材料以有效地將器件熱量運(yùn)送到冷卻結(jié)構(gòu)。 單晶金剛石具有非常好的導(dǎo)熱性-幾乎是SiC襯底的5倍 - 被稱為可以有效散熱的材料。

　　金剛石-SiC鍵合方法

　　為了將單晶金剛石鍵合到作為冷卻材料的器件上，正常的生產(chǎn)過程使用氬(Ar)束去除雜質(zhì)，但這會(huì)在表面形成低密度的受損層，這會(huì)削弱單晶金剛石可能形成的鍵合。此外，使用諸如氮化硅(SiN)的絕緣膜用于鍵合，由于SiN存在熱阻會(huì)削弱導(dǎo)熱性。

　　為了防止Ar束在金剛石表面形成損傷層，富士通開發(fā)了一種技術(shù)，在暴露于Ar束之前用極薄的金屬膜保護(hù)表面(見圖2)。 為了確保表面是平面的(為了在室溫下良好的鍵合)，金屬膜的厚度需限制在10nm或更薄。

　　這種技術(shù)被證實(shí)可以防止Ar束暴露后在金剛石表面形成損傷層(圖3)，從而提高了鍵合強(qiáng)度，從而使得單晶金剛石在室溫下與SiC襯底鍵合。

　　熱阻測(cè)試結(jié)果

　　在室溫下測(cè)量了粘樣品的熱阻，發(fā)現(xiàn)SiC /金剛石界面的熱阻極低，為6.7×10-8m2K/W。使用這一測(cè)量參數(shù)進(jìn)行的仿真表明，該技術(shù)將顯著降低200W級(jí)GaN-HEMT器件的熱阻，降至現(xiàn)有器件的61%(相當(dāng)于表面溫度降低80°C)，見圖4。

　　因此這種技術(shù)可以用于生產(chǎn)具有更高輸出功率發(fā)射器的GaN-HEMT功率放大器。 當(dāng)用于天氣雷達(dá)等系統(tǒng)時(shí)，用于發(fā)射器的GaN-HEMT功率放大器可望將雷達(dá)的可觀測(cè)范圍提高1.5倍，這樣可以更快地檢測(cè)到能夠產(chǎn)生突然暴雨的積雨云，從而為災(zāi)難做好準(zhǔn)備。

　　富士通計(jì)劃

　　富士通計(jì)劃利用該技術(shù)評(píng)估GaN-HEMT的熱阻和輸出性能，并計(jì)劃在2020年將其應(yīng)用于高輸出、高頻功率放大器，應(yīng)用于氣象雷達(dá)和5G無線通信系統(tǒng)。

　　日本防務(wù)省提供研究資助

　　該研究獲得了日本防務(wù)省采購(gòu)、技術(shù)與后勤局(ALTA)設(shè)置的“安全創(chuàng)新科技計(jì)劃”(the Innovative Science and Technology Initiative for Security)。

　　這項(xiàng)研究部分得到了日本國(guó)防部收購(gòu)，技術(shù)和后勤局(ALTA)設(shè)立的創(chuàng)新科技安全倡議的支持。