隨著信息、電子和電力工業(yè)的快速的發(fā)展，以低成本生產(chǎn)具有高介電常數(shù)損耗的材料成為當(dāng)前關(guān)注的熱點(diǎn)，高介電常數(shù)材料無(wú)論是在電力工程，還是在微電子行業(yè)都具有十分重要的作用，研究高介電常數(shù)材料的結(jié)構(gòu)與性能，對(duì)其介電機(jī)理、壓敏機(jī)理和晶界效應(yīng)的探討具有深遠(yuǎn)意義。

　　(InNb)0.1Ti0.9O2陶瓷不僅具有高介電系數(shù)，同時(shí)具有較小的介電損耗，是一種極具應(yīng)用前景的巨介電材料。這種優(yōu)異的介電性質(zhì)的產(chǎn)生機(jī)理尚處于研究階段，單晶樣品是分析材料本征性質(zhì)的有利武器。由于介電測(cè)試對(duì)于樣品尺寸的特殊要求，為更真實(shí)地反應(yīng)樣品的介電性質(zhì)，獲得大尺寸、高質(zhì)量的(InNb)0.1Ti0.9O2單晶變得尤為重要。

　　浮區(qū)法單晶爐高效鍍金雙瓣對(duì)焦

　　哈爾濱工業(yè)大學(xué)宋永利等人利用光學(xué)浮區(qū)法，通過(guò)對(duì)生長(zhǎng)條件(氣氛、氣壓、流量、生長(zhǎng)速率)的控制，最終獲得了大尺寸(4mm直徑、30mm長(zhǎng))的單晶樣品。該單晶樣品的制備使用的是Quantum Design公司推出的光學(xué)浮區(qū)法單晶爐。這款高性能單晶爐采用鍍金雙面鏡、高反射曲面設(shè)計(jì)，最高溫度超過(guò)2000℃；系統(tǒng)采用高效冷卻節(jié)能設(shè)計(jì)（無(wú)需額外冷卻系統(tǒng)），穩(wěn)定的電源輸出保證了燈絲的高精度恒定加熱功率，可制備高質(zhì)量的單晶。

　　光學(xué)浮區(qū)法單晶爐型號(hào)：IRF01-001-00

　　浮區(qū)法的主要優(yōu)點(diǎn)是不需要坩堝，故加熱不受坩堝熔點(diǎn)限制，因此可以生長(zhǎng)熔點(diǎn)極高材料；生長(zhǎng)出的晶體沿軸向有較小的組分不均勻性，在生長(zhǎng)過(guò)程中容易觀(guān)察等。浮區(qū)法晶體生長(zhǎng)過(guò)程中，熔區(qū)的穩(wěn)定是靠表面張力與重力的平衡來(lái)保持，因此，材料要有較大的表面張力和較小的熔態(tài)密度，故浮區(qū)法對(duì)加熱技術(shù)和機(jī)械傳動(dòng)裝置的要求都比較嚴(yán)格。